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      ON Semiconductor

      FDC8886

      MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

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      FDC8886 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        6.5 A
      • 輸入偏置電容
        465 pF
      • 漏源電阻
        36 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻
        23 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        7.4 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        5 ns
      • 功率耗散
        1.6 W, 800 mW
      • 關閉延遲時間
        11 ns
      • 下降時間
        1 ns
      • 上升時間
        1 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TSOT-23-6

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        1 mm
      • 長度
        3 mm
      • 寬度
        1.7 mm

      FDC8886 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • poYBAGLub02ACrriAAZ7PfuE9gg953.pdf
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        Huaqiu Chip
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      • 1年前
        Huaqiu Chip

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