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Toshiba
晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@10mA,1mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):350@2mA,6V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
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