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Diodes

US1J-13-F

DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

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US1J-13-F 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    1 A
  • 額定電壓
    600 V
  • 額定功率
    1.7 W
  • 重復(fù)反向電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 輸出電流
    1 A
  • 浪涌電流
    30 A
  • 正向電流
    1 A
  • 正向電壓
    1.7 V
  • 極性
    Standard
  • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
    30 A
  • 恢復(fù)時(shí)間
    75 ns
  • 平均整流電流
    1 A
  • 峰值非重復(fù)浪涌電流
    30 A
  • 峰值反向電壓
    600 V
  • 容值
    10 pF
  • 反向電壓
    600 V
  • 反向漏電流
    5 μA
  • 反向恢復(fù)時(shí)間
    75 ns
  • 功率耗散
    1.7 W
  • 二極管配置
    單路

Physical

  • 重量
    0.002258 oz
  • 端子間距
    4.05 mm
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    2
  • 工作溫度
    -65 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SMA

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.1 mm
  • 長度
    4.6 mm
  • 寬度
    2.92 mm

US1J-13-F EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

US1J-13-F 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

US1J-13-F 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

    Digikey