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      3天內(nèi)不再提示

      WILLSEMI

      WPT2F42-6/TR

      晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;

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      WPT2F42-6/TR 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        3 A
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@2A,200mA
        500 mV
      • 電流增益 hFE@1A,2V
        100
      • 晶體管類型
        PNP
      • 功率耗散
        1.2 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23-6

      WPT2F42-6/TR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      WPT2F42-6/TR 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      WPT2F42-6/TR 圖片