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ON Semiconductor

RGP10D

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

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RGP10D 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    1 A
  • 額定電壓
    200 V
  • 重復(fù)反向電壓
    200 V
  • 配置
    Single
  • 輸出電流
    1 A
  • 類型
    Single
  • 浪涌電流
    30 A
  • 正向電流
    1 A
  • 正向電壓
    1.3 V
  • 極性
    Standard
  • 恢復(fù)時(shí)間
    150 ns
  • 平均整流電流
    1 A
  • 峰值非重復(fù)浪涌電流
    30 A
  • 峰值反向電壓
    200 V
  • 容值
    15 pF
  • 反向電壓
    200 V
  • 反向漏電流
    5 μA
  • 反向恢復(fù)時(shí)間
    150 ns
  • 功率耗散
    3 W

Physical

  • 自然熱阻
    50 °C/W
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    2
  • 工作溫度
    -65 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    DO-41

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

RGP10D 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip