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Everlight Electronics

PT26-21B/CT

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電-Vceo:30V;集電極電流-Ic:20mA;峰值波長:840nm;集電極暗電流:50nA;

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PT26-21B/CT 器件參數(shù)

Function

  • 額定功率
    75 mW
  • 集電極電流
    20 mA
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    30 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    30 V
  • 波長
    840 nm
  • 暗電流
    50 nA
  • 晶體管類型
    NPN
  • 峰值波長
    840 nm
  • 功率耗散
    75 mW

Physical

  • 鏡片顏色
  • 工作溫度(Min)
    -25 °C
  • 工作溫度(Max)
    85 °C
  • 工作溫度
    85 °C
  • 安裝方式
    貼裝
  • 包裝方式
    1500pcs
  • 制造商封裝
    1206

Compliance

  • 無鉛
    Yes

PT26-21B/CT EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

PT26-21B/CT 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • PT26-21B/CT_Everlight.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

PT26-21B/CT 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip