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      ON Semiconductor

      FDN8601

      MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

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      FDN8601 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        3 V
      • 閘/源截止電壓
        3 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        2.7 A
      • 輸入偏置電容
        210 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        85.4 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@10V,1.5A
        109 mΩ
      • 漏源導通電阻
        109 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        4.3 ns
      • 反向傳輸電容
        2.7 pF
      • 功率耗散
        1.5 W
      • 擊穿電壓
        100 V
      • 關閉延遲時間
        7.8 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        3.4 ns
      • 上升時間
        1.3 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SSOT-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        940 μm
      • 長度
        1.4 mm
      • 寬度
        2.92 mm

      FDN8601 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • FDN8601
        1年前
        Huaqiu Chip

      FDN8601 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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