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      ON Semiconductor

      FQPF6N80T

      Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 800 V, 3.3 A, 1.95 ?, TO-220F

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      FQPF6N80T 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        3.3 A
      • 額定電壓
        800 V
      • 閾值電壓
        5 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        3.3 A
      • 輸入偏置電容
        1.5 nF
      • 漏源電阻
        1.95 Ω
      • 漏源電壓
        800 V
      • 漏源極擊穿電壓
        800 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        1.95 Ω
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷@10V
        31 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        30 ns
      • 容值
        220 F
      • 功率耗散
        51 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        65 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        45 ns
      • 上升時間
        70 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220F-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        16.07 mm
      • 長度
        10.36 mm
      • 寬度
        4.9 mm

      FQPF6N80T 數(shù)據(jù)手冊

      FQPF6N80T 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip