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Vishay

VBPW34FASR

PHOTODIODE 780 TO 1050 NM

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VBPW34FASR 器件參數

Function

  • 波長
    950 nm
  • 正向電流
    50 mA
  • 正向電壓
    1.3 V
  • 暗電流
    2 nA
  • 峰值波長(Min)
    780 nm
  • 峰值波長(Max)
    1050 nm
  • 峰值波長
    780 nm, 950 nm
  • 反向電壓
    60 V
  • 反向擊穿電壓
    60 V
  • 功率耗散
    215 mW
  • 下降時間
    100 ns
  • 上升時間
    100 ns

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    2
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 可視角度
    130 o
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SMD,3.9x4.4mm

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    1.2 mm
  • 長度
    4.4 mm
  • 寬度
    3.9 mm

VBPW34FASR EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

VBPW34FASR 數據手冊

VBPW34FASR 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

    Digikey