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      STMicroelectronics

      STO47N60M6

      MOSFET N-CH 600V 36A TOLL

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      STO47N60M6 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        4.75 V
      • 連續(xù)漏極電流
        36 A
      • 輸入偏置電容@100V
        2.34 nF
      • 類型
        N溝道
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@18A,10V
        80 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4.75 V
      • 柵極電荷@10V
        52.2 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        255 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        SFN8

      STO47N60M6 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STO47N60M6 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • sto47n60m6.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      STO47N60M6 圖片

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