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      3天內不再提示

      STMicroelectronics

      STP28NM60ND

      MOSFET N-CH 600V 23A TO220

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      STP28NM60ND 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        23 A
      • 輸入偏置電容
        2.09 nF
      • 漏源電阻
        150 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻
        150 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷
        62.5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        23.5 ns
      • 功率耗散
        190 W
      • 關閉延遲時間
        92 ns
      • 下降時間
        27 ns
      • 上升時間
        21.5 ns

      Physical

      • 重量
        0.01164 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        15.75 mm
      • 長度
        10.4 mm
      • 寬度
        4.6 mm

      STP28NM60ND 數據手冊

      STP28NM60ND 圖片

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        Huaqiu Chip

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