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      Microchip Technology

      JANTXV1N5806US/TR

      DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

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      JANTXV1N5806US/TR 器件參數(shù)

      Function

      • 正向電壓
        875 mV
      • 平均整流電流
        1 A
      • 峰值反向電壓
        150 V
      • 容值
        25 pF
      • 反向漏電流
        1 μA
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        25 ns

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        MELF

      Compliance

      • 無鉛
        N

      JANTXV1N5806US/TR 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Future
      • 2ad05d66c106c88605cdbd72e6c29460.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      JANTXV1N5806US/TR 圖片

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