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      STMicroelectronics

      STFI10NK60Z

      MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP

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      STFI10NK60Z 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        10 A
      • 輸入偏置電容@25V
        1.37 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        750 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5A,10V
        750 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        750 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4.5 V
      • 柵極電荷@10V
        70 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        20 ns
      • 功率耗散
        35 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        55 ns
      • 下降時(shí)間
        30 ns
      • 上升時(shí)間
        20 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        I2PAKFP(TO-281)

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      STFI10NK60Z 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • STFI10NK60Z
        1年前
        Huaqiu Chip

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