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      Infineon

      CY14B108L-ZS20XI

      NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mbit Parallel 20 ns 44-TSOP II

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      CY14B108L-ZS20XI 器件參數(shù)

      Function

      • 邏輯功能
        Clock
      • 速度
        20 ns
      • 訪問時(shí)間
        20 ns
      • 電源電壓
        2.7 V, 3 V, 3.6 V
      • 數(shù)據(jù)總線寬度
        8 bit
      • 接口類型
        并聯(lián)
      • 接口
        Parallel
      • 存儲密度
        8 Mb
      • 存儲器類型
        NVSRAM
      • 存儲器容量
        8 Mb
      • 單詞大小
        8 bit
      • 供電電流
        75 mA

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Gold
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        44
      • 工作溫度
        -40 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tray
      • 包裝數(shù)量
        135
      • 制造商封裝
        TSOPII-44

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      CY14B108L-ZS20XI EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      CY14B108L-ZS20XI 數(shù)據(jù)手冊

      CY14B108L-ZS20XI 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip