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      ON Semiconductor

      NCV8606MNADJT2G

      500 mA, Low IGND, CMOS LDO Regulator with Enable and with Enhanced ESD Protection, -40 to 125 degC, 6-pin DFN (506AX-01), Pb-Free

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      NCV8606MNADJT2G 器件參數(shù)

      Function

      • 輸出端數(shù)量
        1
      • 輸出電流
        675 mA
      • 輸出電壓精度
        1.5 %
      • 輸出電壓
        1.25 V, 5 V
      • 輸入電壓
        1.5 V, 6 V
      • 精度
        1.5 %
      • 穩(wěn)壓器數(shù)量
        1
      • 特性
        使能
      • 特性
        過(guò)流,超溫
      • 正向電壓
        470 mV
      • 極性
        Positive
      • 最小電流限制
        675 mA
      • 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
        正，可調(diào)式
      • 壓差
        450 mV

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -40 °C, 125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        WDFN-6-EP(2.9x3.3)

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        850 μm
      • 長(zhǎng)度
        3 mm
      • 寬度
        3.3 mm

      NCV8606MNADJT2G EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NCV8606MNADJT2G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 2
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Farnell
      • NCV8606MNADJT2G
        1年前
        Huaqiu Chip

      NCV8606MNADJT2G 圖片

      • Farnell

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