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晶體管類型:1個NPN,1個PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
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