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      Infineon

      IRF640NPBF

      MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

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      IRF640NPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        18 A
      • 額定電壓
        200 V
      • 閾值電壓
        4 V
      • 閘/源截止電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        18 A
      • 輸入偏置電容@25V
        1.16 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        150 mΩ
      • 漏源電壓
        200 V
      • 漏源極擊穿電壓
        200 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,11A
        150 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        150 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        67 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        10 ns
      • 恢復(fù)時(shí)間
        241 ns
      • 反向傳輸電容
        53 pF
      • 功率耗散
        150 W
      • 擊穿電壓
        200 V
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        23 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        5.5 ns
      • 上升時(shí)間
        19 ns

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 焊端樣式
        Through Hole
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        9.02 mm
      • 長度
        10.67 mm
      • 寬度
        4.83 mm

      IRF640NPBF 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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