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      Infineon

      IPB100N08S207ATMA1

      MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

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      • 器件參數(shù)
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      IPB100N08S207ATMA1 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        100 A
      • 輸入偏置電容@25V
        4.7 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        75 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@80A,10V
        6.8 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        6.8 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        200 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        26 ns
      • 技術(shù)
        OptiMOS?
      • 功率耗散
        300 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        61 ns
      • 下降時(shí)間
        30 ns
      • 上升時(shí)間
        51 ns

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3-2

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        yes

      IPB100N08S207ATMA1 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPB100N08S207ATMA1 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IPB100N08S207ATMA1 圖片

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