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      ON Semiconductor

      FDI038AN06A0

      N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 80A, 3.8mΩ

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      FDI038AN06A0 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        80 A
      • 額定電壓
        60 V
      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        80 A
      • 輸入偏置電容
        6.4 nF
      • 漏源電阻
        3.5 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻
        3.8 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷
        124 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        17 ns
      • 功率耗散
        310 W
      • 關閉延遲時間
        34 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        60 ns
      • 上升時間
        144 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-262-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      FDI038AN06A0 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip