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Vishay

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

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SIS407ADN-T1-GE3 器件參數(shù)

Function

  • 阻值
    9 mΩ
  • 閾值電壓
    -1 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    18 A
  • 輸入偏置電容@10V
    5.875 nF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電阻
    7.3 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@15A,4.5V
    9 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    9 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷@8V
    168 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    12 ns
  • 功率耗散
    3.7 W, 39.1 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    120 ns
  • 下降時(shí)間
    36 ns
  • 上升時(shí)間
    4 ns

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    PowerPAK1212-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

SIS407ADN-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
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    上傳于
    來源
  • SIS407ADN-T1-GE3
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

SIS407ADN-T1-GE3 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip