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      Vishay

      SIB912DK-T1-GE3

      MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

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      SIB912DK-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 阻值
        180 mΩ
      • 閾值電壓
        400 mV
      • 配置
        Dual
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        1.5 A
      • 輸入偏置電容
        95 pF
      • 類型
        2個(gè)N溝道
      • 漏源電阻
        180 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,1.8A
        216 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        216 mΩ
      • 柵源電壓
        8 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1 V
      • 柵極電荷@8V
        3 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        5 ns
      • 功率耗散
        1.1 W, 3.1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        24 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        10 ns
      • 上升時(shí)間
        10 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.003386 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        PowerPAK-SC-75-6L

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        750 μm
      • 長(zhǎng)度
        1.6 mm
      • 寬度
        1.6 mm

      SIB912DK-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SIB912DK-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

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