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      Infineon

      IPS70R1K4P7SAKMA1

      MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

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      IPS70R1K4P7SAKMA1 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        4 A
      • 輸入偏置電容@400V
        158 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        700 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,700mA
        1.4 Ω
      • 柵源極閾值電壓@40uA
        3.5 V
      • 柵極電荷@10V
        4.7 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        22.7 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        TO-251(IPAK)

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        yes

      IPS70R1K4P7SAKMA1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPS70R1K4P7SAKMA1 數(shù)據(jù)手冊

      IPS70R1K4P7SAKMA1 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Element14

        Element14

      • Digikey

        Digikey