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      Texas Instruments (TI)

      LM5100BSD/NOPB

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

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      LM5100BSD/NOPB 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        半橋
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        2
      • 靜態(tài)電流
        200 μA
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        2 A
      • 負載類型
        MOSFET
      • 類型
        N通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        9 V
      • 電源電壓(Max)
        14 V
      • 電壓(Min)
        9 V
      • 電壓(Max)
        14 V
      • 接通延遲時間
        1 ns
      • 峰值脈沖電流
        2 A
      • 關(guān)閉延遲時間
        1 ns
      • 供電電流
        2 mA
      • 傳播延遲
        20 ns
      • 下降時間
        430 ns
      • 上升時間
        570 ns

      Physical

      • 端子間距
        0.80 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        10
      • 工作溫度@Tj
        125 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        DFN-10-EP(4x4)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        800 μm
      • 長度
        4 mm
      • 寬度
        4 mm

      LM5100BSD/NOPB EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      LM5100BSD/NOPB 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      LM5100BSD/NOPB 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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        Digikey