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      Vishay

      SI7463ADP-T1-GE3

      MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

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      SI7463ADP-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        -2.3 V
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        46 A
      • 輸入偏置電容@20V
        4.15 nF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        8.3 mΩ
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -40 V
      • 漏源導通電阻@15A,10V
        10 mΩ
      • 漏源導通電阻
        10 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.3 V
      • 柵極電荷@10V
        144 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        15 ns
      • 功率耗散
        39 W, 5 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        56 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        11 ns
      • 上升時間
        14 ns

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerPAK-SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      SI7463ADP-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • pYYBAGPEPKmAYn4GAAWVQmYN2dw308.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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