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      TECH PUBLIC

      TPM2008EP3

      MOS N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=700mA RDS(ON)=250mΩ@4.5V DFN1006-3L

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      TPM2008EP3 器件參數(shù)

      Function

      • 輸入偏置電容@16V
        120 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,650mA
        130 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        750 mV
      • 反向傳輸電容@16V
        15 pF
      • 功率耗散
        100 mW
      • 擊穿電壓
        20 V

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        10000pcs
      • 制造商封裝
        DFN1006-3L

      TPM2008EP3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 82c1cba800e0da4f6ee81bc0043cb737.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      TPM2008EP3 圖片

      • Huaqiu Chip

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