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      Vishay

      SI7615DN-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

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      SI7615DN-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        35 A
      • 輸入偏置電容
        6 nF
      • 漏源電阻
        3.1 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        3.9 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵極電荷
        183 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        35 ns
      • 功率耗散
        3.7 W, 52 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        80 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        28 ns
      • 上升時(shí)間
        38 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        TO-252-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 長度
        3.3 mm
      • 寬度
        3.3 mm

      SI7615DN-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
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      • 1年前
        Huaqiu Chip

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