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深圳納福半導(dǎo)體

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IRFB3206PBF 場(chǎng)效應(yīng)管 Infineon 封裝N/A 批次22+

型號(hào): IRFB3206PBF
品牌: Infineon(英飛凌)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號(hào) IRFB3206PBF
  • 品牌 Infineon
  • 封裝 N/A
  • 批次 22+ 22+
  • 可售地 全國(guó)

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

品牌:Infineon
型號(hào):IRFB3206PBF
封裝:N/A
批次:22+
數(shù)量:30000
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商:Infineon Technologies
系列:HEXFET?
FET 類(lèi)型:N 通道
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3 毫歐 @ 75A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):170 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):6540 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3

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