ISO5851-Q1是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器,具有2.5A的輸電端由3V至5.5V的單電源供電運行。輸出端允許的電源范圍為15V至30V。兩個互補CMOS輸入控制柵極驅(qū)動器的輸出狀態(tài).76ns的
內(nèi)置的去飽和(DESAT)故障檢測功能可識別IGBT何時處于過載狀態(tài)。當(dāng)檢測到DESAT時,柵極驅(qū)動器輸出會被拉低為V EE2 電勢,從而將IGBT立即關(guān)斷。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時,器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號,以及輸入端的< span style =“text-decoration:overline”> FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,可通過 RST 輸入上的低平有效脈沖復(fù)位。
如需了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
<小>所有商標(biāo)是其相應(yīng)所有者的財產(chǎn)。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷IGBT,輸出電壓會被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時,器件會通過隔離隔柵發(fā)送故障信號,以及輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存,可通過 RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運行期間關(guān)斷IGBT,輸出電壓會被硬鉗位為V EE2 。如果輸出電源為單極,那么可采用有源米勒鉗位,這種鉗位會在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流,從而防止IGBT在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動器是否準(zhǔn)備就緒待運行由兩個欠壓鎖定電路控制,這兩個電路會監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足,RDY輸出會變?yōu)榈碗娖?否則,該輸出為高電平。
ISO5851-Q1采用16引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為-40°C至125°C。