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CSD18510KTT 40V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

這款40V,1.4mΩ,D 2 PAK(TO-263)NexFET功率MOSFET被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低損耗。

要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。最大R θJC = 0.6°C /W,脈沖持續(xù)時間≤100μs,占空比≤1%。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 無鉛引腳鍍層
  • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • D 2 PAK塑料封裝

應(yīng)用

  • 次級側(cè)同步整流器
  • 電機控制

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18510KTT CSD18510KCS CSD18510Q5B CSD18511KTT CSD18511Q5A CSD18512Q5B CSD18513Q5A CSD18514Q5A
40 ? ? 40 ? ? 40 ? ? 40 ? ? 40 ? ? 40 ? ? 40 ? ? 40 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
2.6 ? ? 2.6 ? ? 1.6 ? ? 4.2 ? ? 3.5 ? ? 2.3 ? ? 5.3 ? ? 7.9 ? ?
1.7 ? ? 1.7 ? ? 0.96 ? ? 2.6 ? ? 2.3 ? ? 1.6 ? ? 3.4 ? ? 4.9 ? ?
400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 237 ? ?
119 ? ? 119 ? ? 118 ? ? 64 ? ? 63 ? ? 75 ? ? 45 ? ? 29 ? ?
21 ? ? 21 ? ? 21 ? ? 9.7 ? ? 11.2 ? ? 13.3 ? ? 8.8 ? ? 5 ? ?
D2PAK ? ? TO-220 ? ? SON5x6 ? ? D2PAK ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ?
20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
1.7 ? ? 1.7 ? ? 1.7 ? ? 1.8 ? ? 1.8 ? ? 1.6 ? ? 1.8 ? ? 1.8 ? ?
274 ? ? 274 ? ? 300 ? ? 194 ? ? 159 ? ? 211 ? ? 124 ? ? 89 ? ?
200 ? ? 200 ? ? 100 ? ? 110 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 100 ? ? 50 ? ?
Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

技術(shù)文檔

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