當(dāng)然，一般CMOS影像傳感器或NIR傳感器的“目標(biāo)如果是要有更好的影像，那么我們樂(lè)于見(jiàn)到更多的光線”。但是，Cambou也指出，當(dāng)用戶試圖在明亮的陽(yáng)光下解鎖iPhone X時(shí)，光線就會(huì)是一個(gè)問(wèn)題。

Cambou說(shuō)：“問(wèn)題就在于NIR光線的投射點(diǎn)與太陽(yáng)或其他任何光源的環(huán)境光之間存在的對(duì)比度。但太陽(yáng)通常是最大的問(wèn)題?！?因此，Apple采用SOI晶圓以提高NIR的對(duì)比度是至關(guān)重要的。

那么ST的NIR傳感器是否使用FD-SOI或SOI晶圓？Cambou表示該公司目前還無(wú)法判斷。

拆解Apple iPhone X——3D相機(jī)（TrueDepth）內(nèi)部的NIR影像傳感器（來(lái)源：Yole Développement、System Plus Consulting）

至于NIR傳感器，如今是否能確定Apple使用的是850nm還是940nm波長(zhǎng)的NIR？Cambou指出，“我們無(wú)法確定是哪一個(gè)”。然而，他推測(cè)，“Apple最有可能像其他業(yè)者一樣使用850nm——例如英特爾（Intel）的RealSense、Facebook、宏達(dá)電等。但是，ST以開(kāi)發(fā)940nm單光子雪崩二極體（SPAD）近接測(cè)距器聞名，所以也可能打算在未來(lái)轉(zhuǎn)向這一波長(zhǎng)選擇。”

當(dāng)被問(wèn)及在拆解中有何意外發(fā)現(xiàn)時(shí)，Cambou提出了ST NIR影像傳感器芯片的尺寸——其大小約25mm2，但由于采用2.8μm的大型畫(huà)素，因而僅有140萬(wàn)畫(huà)素。Cambou指出：“盡管如此，在這個(gè)類別中，與通常使用3.0μm到5μm的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相較，這一畫(huà)素會(huì)被認(rèn)為『較小』?！?/p>

新時(shí)代的開(kāi)始

Yole將iPhone X定位為3D成像新時(shí)代的開(kāi)始。

Cambou還認(rèn)為，Apple正在為NIR傳感器打造未來(lái)。他指出，Apple不久前收購(gòu)了量宏科技（InVisage Technologies），“我認(rèn)為Apple打算讓InVisage為其提供NIR傳感器功能，不過(guò)也可能還有好幾種方式來(lái)解釋這項(xiàng)收購(gòu)行動(dòng)?！?/p>

Cambou認(rèn)為，InVisage可能無(wú)法在性能方面與ST的產(chǎn)品匹配，但卻能為小型化提供解決方案。他提到：“因此，F(xiàn)ace ID技術(shù)可以微縮至其它產(chǎn)品，如增強(qiáng)實(shí)境（AR）頭戴式裝置。”

商業(yè)影響

一方面，Apple iPhone X正為諸如Soitec等SOI晶圓制造商創(chuàng)造巨大的商機(jī)。同樣重要的是，它也為ST引發(fā)別具意義的復(fù)出。Cambou相信ST將成為新興ToF相機(jī)市場(chǎng)的一員。

當(dāng)然，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)往往受到短暫的繁榮和蕭條交替之周期性影響。但是，根據(jù)Cambou的觀察，ST在手機(jī)市場(chǎng)失去諾基亞（Nokia）后雖然業(yè)務(wù)萎縮，如今“已經(jīng)非常巧妙地進(jìn)行轉(zhuǎn)型了”。

ST打造了許多不同類型的影像傳感器應(yīng)用：從CMOS影像傳感器轉(zhuǎn)向未來(lái)的NIR和SPAD傳感器，同時(shí)也有效利用了該公司的資產(chǎn)以及內(nèi)部開(kāi)發(fā)的基礎(chǔ)技術(shù)。