LED芯片核心部分橫截面圖樣
見上圖,LED芯片核心部分對(duì)角線橫截面圖樣,可測(cè)得約為0.1mm。GaN層的表面是薄薄的柵欄層。用陰極追蹤查探得知電極位于很靠近中心位置。
LED芯片核心部分橫截面圖樣
見上圖,LED芯片核心部分對(duì)角線橫截面圖樣,可測(cè)得約為0.1mm。GaN層的表面是薄薄的柵欄層。用陰極追蹤查探得知電極位于很靠近中心位置。
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