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SOITEC與四聯(lián)合作開發(fā)GaN晶片 大大降低LED成本

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2023-08-16 06:44:35

合作開發(fā)中如何保持工程的兼容性,用cubeMX開發(fā)的功能能直接集成到cubeIDE下嗎?

和隊(duì)友分工開發(fā),但是不知道如何保證各自的工程開發(fā)完成后可以合并到同一個工程中,這里有什么需要注意的嗎,比如說各種自動生成的庫是否要完全一致之類的,小白,有點(diǎn)懵
2023-08-07 12:59:07

奧比中光正式發(fā)布與英偉達(dá)合作開發(fā)的3D開發(fā)套件Orbbec Persee N1

? 8月3日,奧比中光正式發(fā)布與英偉達(dá)合作開發(fā)的3D開發(fā)套件Orbbec Persee N1 。新品融合奧比中光雙目結(jié)構(gòu)光相機(jī)Orbbec Gemini 2和支持海量開源項(xiàng)目的NVIDIA
2023-08-07 11:40:49797

國產(chǎn)汽車OBC將用GaN!這2家企業(yè)宣布結(jié)盟

近日,國內(nèi)一家車載充電器(OBC)企業(yè)與氮化鎵企業(yè)結(jié)盟,將共同開發(fā)11kW的氮化鎵OBC等產(chǎn)品。而該氮化鎵企業(yè)之前還與在車規(guī)GaN與寶馬、豐田及緯湃科技等達(dá)成合作。
2023-08-04 10:25:53355

GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)是什么?ST量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN 即將推出車規(guī)器件

如今,開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升,如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能,同時又不斷降低成本和縮減尺寸呢? 我們發(fā)現(xiàn),氮化鎵(GaN)是一種新型寬帶隙化合物,為功率轉(zhuǎn)換
2023-08-03 14:43:28225

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),即使效率增益僅為 0.8%,也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)中心節(jié)約多達(dá) 700 萬美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:001330

LED虛擬拍攝中LED屏幕的作用

在電影制作和電視節(jié)目制作中,使用LED屏幕進(jìn)行虛擬拍攝已經(jīng)成為一種新的趨勢。這種技術(shù)的出現(xiàn),使得拍攝過程更為靈活,同時也大大降低了制作成本。而在整個虛擬拍攝過程中,LED屏幕發(fā)揮著至關(guān)重要的作用
2023-07-27 17:40:33473

Imagination與O3DF合作加速硬件產(chǎn)品開發(fā)

Imagination與開放3D基金會(O3DF)一直保持密切合作。此前 Imaignation 與開放3D引擎(O3DE)團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)了基于O3DE引擎的光線追蹤Demo。在今年的GDC2023
2023-07-20 08:45:02355

助推電動汽車發(fā)展的新動力:Soitec 的 SmartSiC?

本文詳細(xì)闡述了 Soitec SmartSiC 的最新進(jìn)展和獨(dú)特的行業(yè)價值,并對 SmartSiC 解決方案的創(chuàng)新優(yōu)勢、研發(fā)及生產(chǎn)情況進(jìn)行了深入的介紹。
2023-07-12 15:51:03499

MR熱潮推動下,三星、LG、索尼爭奪Micro OLED開發(fā)

Micro OLED是在硅晶片上堆積有機(jī)材料制造的,因此通常被稱為“oledos”或“oled on硅”。索尼與tsmc合作開發(fā)并生產(chǎn)蘋果vision pro用Micro OLED。
2023-07-10 10:17:251343

GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學(xué)取得新突破

GaN基Micro LED與其驅(qū)動(如HEMT、MOSFET等)的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢,獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的Micro LED集成單元,其在Micro LED透明顯示、柔性顯示以及可見光通訊中都展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景。
2023-07-07 12:41:19332

艾邁斯歐司朗新型OSLON? Compact PL LED問世,助力汽車前照燈制造商降低系統(tǒng)成本

?????? 新型第三代LED,單芯片及多種衍生型號,光輸出為440lm,而上一代為405lm,前照燈和日間行車燈制造商可以使用較少的LED產(chǎn)生同樣的光輸出,降低成本; ?????? 新型LED
2023-07-04 15:30:08353

新型OSLON? Compact PL LED問世,助力汽車前照燈制造商降低系統(tǒng)成本

? 新型第三代LED,單芯片及多種衍生型號,光輸出為440lm,而上一代為405lm,前照燈和日間行車燈制造商可以使用較少的LED產(chǎn)生同樣的光輸出,降低成本; ? 新型LED光效更高,這意味著汽車
2023-06-29 15:16:22303

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢

地被開發(fā)出來。GaN器件的低導(dǎo)通內(nèi)阻、低寄生電容和高開關(guān)速度等特性,使得對應(yīng)的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率,更高的功率密度,同時因?yàn)楦俚姆答佇枨笏鶐淼姆蔷€性失真度將更低,由此Class
2023-06-25 15:59:21

11.2 GaN的基本性質(zhì)(上)

GaN
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:50:28

Micro LED成本持續(xù)下降,一創(chuàng)新技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)降本超過60%

在下降。 不過,從目前的情況來看,后續(xù)幾年Micro LED成本下降的速度將加快。作為全新一代的顯示技術(shù),Micro LED在發(fā)展初期有巨大的創(chuàng)新空間,多個廠商都預(yù)計(jì),后續(xù)幾年Micro LED將以每兩年降低50%的速度優(yōu)化成本。并且,一些創(chuàng)新技術(shù)的出現(xiàn),可能一次性將成本降低超過
2023-06-20 01:18:001789

什么因素影響著LED封裝可靠性?

LED器件占LED顯示屏成本約40%~70%,LED顯示屏成本的大幅下降得益于LED器件的成本降低。
2023-06-18 10:32:57121

基于GaN電源集成電路的超高效率、高功率密度140W PD3.1 AC-DC適配器

升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaNGaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量,提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37

基于GaN器件的電動汽車高頻高功率密度2合1雙向OBCM設(shè)計(jì)

基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率,減小體積無源器件,進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而,由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性,給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35

基于GaN的OBC和低壓DC/DC集成設(shè)計(jì)

OBC和低壓DC/DC的集成設(shè)計(jì)可以減小系統(tǒng)的體積;提高功率密度,降低成本。寬帶隙半導(dǎo)體器件GaN帶來了進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)遇提高電動汽車電源單元的功率密度
2023-06-16 06:22:42

GaN外延生長方法及生長模式

由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究,并不斷嘗試?yán)貌煌耐庋由L方法在Si
2023-06-10 09:43:44681

合作動態(tài) | 尼得科(NIDEC)與瑞薩電子合作開發(fā)新一代電動汽車用電驅(qū)系統(tǒng)E-Axle的半導(dǎo)體解決方案

新聞快訊 尼得科株式會社(以下簡稱“尼得科”)瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)已達(dá)成共識,將合作開發(fā)應(yīng)用于新一代E-Axle(X-in-1系統(tǒng))的半導(dǎo)體解決方案,該新一代E-Axle系統(tǒng)集成
2023-06-08 20:10:01459

最新成果展示:AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)與應(yīng)用

賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計(jì)平臺開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫,并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對GaN基垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271

尼得科與瑞薩電子合作開發(fā)新一代電動汽車用電驅(qū)系統(tǒng)E-Axle的半導(dǎo)體解決方案

尼得科株式會社(以下簡稱“尼得科”)瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)已達(dá)成共識,將合作開發(fā)應(yīng)用于新一代E-Axle(X-in-1系統(tǒng))的半導(dǎo)體解決方案,該新一代E-Axle系統(tǒng)集成了電動汽車(EV)的驅(qū)動電機(jī)和功率電子器件。
2023-06-05 16:04:41307

GAN的應(yīng)用(2)#應(yīng)用開發(fā)

應(yīng)用開發(fā)
學(xué)習(xí)硬聲知識發(fā)布于 2023-05-31 17:09:44

GAN的應(yīng)用(1)#應(yīng)用開發(fā)

應(yīng)用開發(fā)
學(xué)習(xí)硬聲知識發(fā)布于 2023-05-31 17:09:18

GAN的原理(2)#應(yīng)用開發(fā)

應(yīng)用開發(fā)
學(xué)習(xí)硬聲知識發(fā)布于 2023-05-31 17:08:52

LED封裝晶片便攜式推拉力測試機(jī)

博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測試機(jī)是一種非常實(shí)用的測試設(shè)備,可以方便地進(jìn)行LED封裝晶片的推拉力測試,從而保證LED產(chǎn)品的質(zhì)量。該測試機(jī)具有便攜式設(shè)計(jì)、數(shù)字顯示屏、高精度、高穩(wěn)定性、高可靠性等特點(diǎn),可以滿足各種LED封裝晶片的測試需求。
2023-05-31 10:05:25386

led晶片推拉力機(jī)半導(dǎo)體推拉力測試儀

led晶片
力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-05-24 17:40:04

國芯科技與合作伙伴合作成立量子芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

近日,國芯科技全資子公司天津國芯科技有限公司和安徽問天量子科技股份有限公司(以下簡稱“問天量子”)、文芯科技(廈門)有限公司(以下簡稱“文芯科技”)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,三方合作成立量子芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。依托于該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,國芯科技和問天量子等將共同開展量子密碼芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
2023-05-22 10:28:31655

如何使用SVN進(jìn)行LabVIEW代碼版本控制

無論是個人開發(fā)還是多人合作開發(fā),版本控制都是必不可少的。
2023-05-22 10:23:20804

如何降低X-ray無損檢測設(shè)備的使用成本?-智誠精展

X-ray無損檢測設(shè)備作為一種重要的檢測設(shè)備,其使用成本降低不僅對企業(yè)的發(fā)展有著顯著的價值,同時也有利于提高整個行業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。因此,如何有效降低X-ray無損檢測設(shè)備的使用成本,成為企業(yè)關(guān)注
2023-05-19 09:45:43338

仿真軟件專家rFpro與索尼合作開發(fā)高保真?zhèn)鞲衅髂P?/a>

Splashtop:在確??蛻魸M意的同時降低成本

在尋找降低運(yùn)營成本的方法時。Munster BusinessEquipment銷售經(jīng)理達(dá)拉赫-米德注意到,由于客戶對打印和掃描問題的現(xiàn)場訪問激增,導(dǎo)致運(yùn)營成本增加。
2023-05-12 15:11:58539

求分享用于SAM Sollution促銷的SW小程序

由于運(yùn)輸 SAM 要求高性能,客戶希望在做出決定之前看到一些預(yù)測試。我們與唯冠 DFAE 合作開發(fā) SW 小程序。SAM卡中的這個小程序可以按照客戶算法進(jìn)行辦理和充值交易。 交易時間是客戶可以接受的。所以客戶研發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)完成了JCOP4.5 中的applet 移植。
2023-05-08 08:28:35

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率,是GaN基的理想襯底材料,如LED,LD。因此,SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重要基礎(chǔ),其表面加工的質(zhì)量和精度,直接會影響外延
2023-05-05 07:15:001154

絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

能與(Al)GaN反應(yīng),從而在(Al)GaN表面產(chǎn)生氮空位(淺施主),形成高摻雜n型層,促進(jìn)電子的遂穿效應(yīng)降低歐姆接觸;
2023-04-29 16:46:00735

歐陸通和意法半導(dǎo)體攜手設(shè)立數(shù)字電源聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室

聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室揭牌儀式日前在上海舉行。 此次歐陸通與意法半導(dǎo)體成立聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室,雙方合作的研發(fā)團(tuán)隊(duì)將在服務(wù)器電源及新能源兩大產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行合作,推動雙方協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展,實(shí)現(xiàn)行業(yè)前沿技術(shù)及高端產(chǎn)品的突破。 面對
2023-04-29 14:35:241750

什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應(yīng)用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢,GaN 充電器的運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率,GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330

GaN:RX65T300的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢

、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。 GaN功率器件有哪些優(yōu)勢?功率密度高,開關(guān)速度快,損耗低,功耗??;高頻高速,可以有效降低系統(tǒng)成本;可在更高頻率下工作;更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優(yōu)勢 GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:42831

東軟睿馳與聯(lián)合電子共同研發(fā)的跨域中央計(jì)算平臺產(chǎn)品亮相上海車展

的智能化和個性化體驗(yàn)、降低整車開發(fā)成本,助力汽車產(chǎn)業(yè)智能化高速發(fā)展。 圖:東軟睿馳與聯(lián)合電子聯(lián)合開發(fā)的中央計(jì)算平臺產(chǎn)品 伴隨汽車智能化落地進(jìn)程的加速,電子電氣架構(gòu)處于由傳統(tǒng)分布式架構(gòu),向跨域集成,最終整車融合區(qū)域集中架構(gòu)發(fā)
2023-04-21 10:54:071226

Plan Optik和4JET聯(lián)合開發(fā)TGV金屬化新工藝

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,德國Plan Optik公司和4JET microtech公司合作開發(fā)了一條高生產(chǎn)率的玻璃通孔(TGV)金屬化制造工藝鏈。
2023-04-20 09:09:01943

橙群微電子和Azoteq合作開發(fā)VR控制器參考設(shè)計(jì)

面向虛擬現(xiàn)實(shí)市場的先進(jìn)無線連接SoC的領(lǐng)先供應(yīng)商橙群微電子與混合信號和傳感器IC專家Azoteq宣布合作開發(fā)VR控制器參考設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)將橙群微電子的旗艦SMULLSoC產(chǎn)品IN618與Azoteq
2023-04-19 11:00:16649

用一個Hercules LaunchPad開發(fā)套件控制GaN功率級

與LMG5200評估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅(qū)動GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開,并且連接你的LaunchPad開發(fā)套件。
2023-04-14 10:06:17424

通用反激式控制器大大降低可聞變壓器噪聲

PCB尺寸。邊界模式還減少了使用電壓模式或PWM技術(shù)可能引起的大信號穩(wěn)定性問題。通過新的雙重疊調(diào)制技術(shù)實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié),該技術(shù)同時使用峰值初級電流調(diào)制和占空比調(diào)制,從而大大降低可聞變壓器噪聲。
2023-04-10 11:49:38669

N32G430C8L7_STB開發(fā)

N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12

N32G4FRML-STB開發(fā)

高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā),開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12

如何控制LED燈的開關(guān)?

  一、LED介紹  LED(Light Emitting Diode),發(fā)光二極管,是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件,它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個半導(dǎo)體的晶片,晶片
2023-03-28 13:58:37

ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC

ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54

ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND

ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54

CC2541開發(fā)套件

TI CC2541開發(fā)套件
2023-03-25 01:27:25

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