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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>氮化鉀中小功率電源

氮化鉀中小功率電源

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氮化鎵激光芯片用途

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倍思氮化鎵充電器怎么樣

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什么是氮化氮化電源優(yōu)缺點(diǎn)

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2023-11-24 11:05:11822

氮化鎵在低功率電動(dòng)車中的應(yīng)用

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2023-11-22 13:45:31153

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2023-10-20 16:41:43230

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在當(dāng)今的高科技社會(huì)中,氮化鎵(GaN)功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品,其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,為了確保氮化功率器件的性能和可靠性,制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
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Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化功率芯片,Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制
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ST數(shù)字電源指南

功率型分立器件針對(duì)軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化,可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率,并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。
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功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
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小功率超聲波PCB驅(qū)動(dòng)線路板針對(duì)小功率超聲應(yīng)用中工作頻帶窄、頻率跟蹤速度要求快的特點(diǎn),提出將模糊控制智能算法和直接數(shù)字頻率合成技術(shù)相結(jié)合的頻率自動(dòng)跟蹤方案.依據(jù)經(jīng)驗(yàn)歸納制定模糊控制器來快速跟蹤工作
2023-09-04 15:17:29447

GaNFast氮化功率芯片有何優(yōu)勢(shì)?

納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2023-09-01 14:46:04409

氮化鎵芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:082027

氮化功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942

小功率超聲波發(fā)生器電路線路板

小功率超聲波發(fā)生器電路線路板是一種超聲波清洗機(jī)電源的工作原理及其電路設(shè)計(jì).采用頻率自動(dòng)跟蹤的方式來滿足超聲波電源與超聲波換能器工作在最佳狀態(tài),使得整機(jī)達(dá)到最佳工作效率.檢測(cè)換能器驅(qū)動(dòng)電壓、電流
2023-08-22 10:23:21322

氮化鎵芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18

小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計(jì)的功率密度高到令人難以置信的同時(shí)還要提升效率以保持小功率。RECOM 現(xiàn)有許多創(chuàng)新設(shè)計(jì),在小封裝的低功率轉(zhuǎn)換器上應(yīng)用了大功率電源的設(shè)計(jì)技術(shù)。
2023-08-11 11:35:57364

INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A

氮化電源方案功率通常達(dá)到65W、100W、120W等,氮化功率器件生產(chǎn)商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A多口輸出。英諾賽科INN650D260A氮化
2023-08-08 21:28:181274

小功率電源EMI整改案例分享

在復(fù)雜的電子系統(tǒng)中電源帶來的嚴(yán)重問題:即EMI,通常簡(jiǎn)稱為噪聲。電源會(huì)產(chǎn)生EMI,需要加以解決,這樣才能提高電子產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。本文我們通過案例,分享EMI整改的解決思路。【應(yīng)用】小家電/燈具
2023-07-31 17:54:12523

氮化電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎 氮化電源優(yōu)缺點(diǎn)

 相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料,氮化電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下,氮化電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233605

小功率反激拓?fù)涞姆抡娣椒ㄑ芯?/a>

小功率開關(guān)電源電路圖講解

如圖所示為一種小功率開關(guān)電源電路,適用于交流適配器、電池充電器、輔助電源(USB)、儀表等電路中。該電路主要是由220V交流輸入電路、整流濾波電路、PWM控制電路(NCP1200)、反峰脈沖吸收電路
2023-07-20 15:47:481760

500W儲(chǔ)能逆變電源設(shè)計(jì)

生活中需要一臺(tái)小功率電源裝置,以備在停電或戶外旅行等應(yīng)用場(chǎng)合應(yīng)急使用。小功率電源(戶外電源)架構(gòu)包括了光伏發(fā)電、電池充電管理、USB/Type-C充電接口、逆變單元等部分。
2023-07-13 11:14:201377

AP8012H小功率離線式開關(guān)電源芯片

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)AP8012H小功率離線式開關(guān)電源芯片,原裝現(xiàn)貨 AP8012H芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,適用于小功率離線式開關(guān)電源。該芯片提供了完整
2023-07-10 11:27:12

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
2023-07-08 10:55:12449

低消耗小功率10W電源芯片U9513B簡(jiǎn)介

大、性價(jià)比高、外圍電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),被工程師們所青睞。下面介紹的小功率10W電源芯片U9513B,消耗少、成本低、方案簡(jiǎn)單成熟,頗受歡迎!
2023-07-07 15:54:09520

VIPER12,VIPER12A小功率開關(guān)電源芯片

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)VIPER12,VIPER12A小功率開關(guān)電源芯片,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷 VIPER12ADIP-E ------DIP8VIPER12ASTR-E
2023-07-05 15:15:25

一種大功率可調(diào)開關(guān)電源的設(shè)計(jì)方案

作為線性穩(wěn)壓電源的替代方案,開關(guān)電源在使用和實(shí)現(xiàn)方面變得越來越復(fù)雜。集成技術(shù)推動(dòng)電子設(shè)備變得更小、更智能。新的電子設(shè)備需要更小尺寸和更低噪聲干擾的開關(guān)電源,以實(shí)現(xiàn)集成和集成。對(duì)于中小功率開關(guān)電源
2023-07-03 09:25:111866

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念

,氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個(gè)器件,使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計(jì)。集成功率級(jí)諸如EPC23102為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

基于氮化鎵IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計(jì)

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心,這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。。 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示:“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應(yīng)用
2023-06-16 10:51:097122

GaN功率集成電路在關(guān)鍵應(yīng)用中的系統(tǒng)級(jí)影響

納維半導(dǎo)體?氮化功率集成電路的性能影響?氮化電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例:高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例:高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例;高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51

什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

為什么氮化鎵比硅更好?

超低的電阻和電容,開關(guān)速度可提高一百倍。 為了充分利用氮化功率芯片的能力,電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運(yùn)行。近年加入控制芯片之后,氮化鎵充電器的開關(guān)頻率,已經(jīng)從 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16

氮化鎵: 歷史與未來

的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵,并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54

為什么氮化鎵(GaN)很重要?

的設(shè)計(jì)和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì),如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級(jí)為使用氮化功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化鎵(GaN)?

氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更?。篏aNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化功率芯片方面,起到了極大的貢獻(xiàn)。 應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬(Jason Zhang)在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年,專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì),被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08

什么是氮化功率芯片?

氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56

20個(gè)小功率LED燈珠恒流驅(qū)動(dòng)電路圖

電子燈箱中用連體小功率紅色LED燈珠,這種燈珠一串為20個(gè),單個(gè)燈珠的工作電流在15~20mA。如果想點(diǎn)亮一串20個(gè)LED燈珠,可以使用阻容降壓電路來驅(qū)動(dòng)。
2023-05-30 16:47:214248

氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵,該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41758

65W氮化鎵(1A2C) PD快充電源方案

隨著氮化功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,氮化功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵,應(yīng)用范圍也越來越廣。氮化功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的熱特性,被廣泛應(yīng)用于充電器、電源適配器
2023-04-21 11:00:201613

PD/QC快充電源芯片U6649啟動(dòng)快功耗低簡(jiǎn)析

輸出功率達(dá)27W的PD/QC快充電源芯片U6649,提供SOP-8無(wú)鉛封裝。是應(yīng)用于中小功率反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM功率轉(zhuǎn)換器。
2023-04-21 09:57:461250

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 ? 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種
2023-04-19 17:23:01934

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

來源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00224

如何成功設(shè)計(jì)超寬輸入小功率反激式轉(zhuǎn)換器

小功率反激式參考設(shè)計(jì)需要具備兩路輸出。一個(gè)輸出軌提供微控制器與模擬電路(電流為15mA時(shí)電壓為5.0V);另一個(gè)輸出軌則在電流為40mA時(shí)提供12.0V的電壓以控制繼電器。因?yàn)檩斎牒蛢陕份敵鲂枰?.5kV的隔離電壓,所以筆者首先想到了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、廣為人知的反激式轉(zhuǎn)換器。
2023-04-17 10:29:14521

合封氮化鎵芯片是什么

合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件,它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比,合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù),將多個(gè)半導(dǎo)體器件集成在一個(gè)芯片上,使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327

東方閃光10nW~30W激光功率計(jì)

一、簡(jiǎn)述: 通用型激光功率計(jì),適合中小功率的( 10nW to 30mW ——光譜范圍:250nm-1800nm ——光纖適配器:SMA, FC/PC(選項(xiàng)) ——適合小功率連續(xù)激光器,不適合脈沖
2023-04-11 07:37:45298

PD快充ic U6649滿足輸出功率達(dá)27W

是應(yīng)用于中小功率反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM功率轉(zhuǎn)換器。超寬VDD工作電壓范圍,內(nèi)置高壓功率MOS,滿足輸出功率達(dá)27W的PD快充電源應(yīng)用。U664927WP
2023-03-30 15:11:32509

一般小功率三極管發(fā)射結(jié)的反向電阻是無(wú)窮大嗎?

一般小功率三極管發(fā)射結(jié)的反向電阻是無(wú)窮大嗎?請(qǐng)說明一下原因
2023-03-30 11:37:04

HT7044A-1

小功率? 電壓檢測(cè)器
2023-03-28 15:11:32

納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化功率芯片

電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),加強(qiáng)器件可靠性,降低系統(tǒng)成本,納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù),推出新一代GaNSense? Control合封氮化功率芯片,進(jìn)一步加速氮化鎵市場(chǎng)普及
2023-03-28 13:58:021193

納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片,引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度

高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成, 實(shí)現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯,2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723

小功率數(shù)碼適配器電源ic SF5773

小功率數(shù)碼適配器電源ic SF5773采用熱響應(yīng)技術(shù),輸入功率恒定,大大拓展了系統(tǒng)的安全區(qū)工作范圍(SOA)。
2023-03-28 10:23:21606

小功率同步電機(jī)介紹

本節(jié)介紹小功率同步電機(jī)的基本概念本節(jié)介紹永磁式、磁阻式、磁滯式同步電機(jī)的結(jié)構(gòu)、原理、機(jī)械特性、優(yōu)缺點(diǎn)本節(jié)介紹電磁減速同步電機(jī)的結(jié)構(gòu)、原理文章 主要作為發(fā)電機(jī)運(yùn)行(絕大部分電都是由同步發(fā)電機(jī)發(fā)出來
2023-03-28 09:58:040

TC12

小功率開關(guān)電源控制器
2023-03-24 13:58:14

TC22

小功率開關(guān)電源控制器
2023-03-24 13:58:14

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