2023年12月底，由國家發(fā)展改革委、國家數(shù)據(jù)局、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國家能源局五部門聯(lián)合印發(fā)的《關(guān)于深入實施“東數(shù)西算”工程 加快構(gòu)建全國一體化算力網(wǎng)的實施意見》正式公布。
2024-01-16 10:41:21
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智能駕駛芯片排名并不簡單只看AI算力，CPU、存儲帶寬、功耗和AI算力數(shù)值一樣重要，這個下文會詳細分析。
2023-12-28 10:29:21664 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
【科普小貼士】MOSFET的性能：漏極電流和功耗
2023-12-07 17:23:17365 
【科普小貼士】MOSFET的性能：雪崩能力
2023-12-07 16:46:47423 
本文將詳細分析國產(chǎn)光耦的發(fā)展趨勢，探討其未來發(fā)展的關(guān)鍵因素與前景。
2023-12-06 11:01:51237 
性能提升，功耗降低！，這樣的MOSFET是你的最愛么？
2023-12-04 15:09:36114 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
本文將詳細分析國產(chǎn)固態(tài)光耦的優(yōu)勢和其在產(chǎn)品工程中的重要作用。
2023-11-30 11:30:01201 10個天線性能指標的分析? 天線是無線通信系統(tǒng)中的重要組成部分，它們負責(zé)接收和發(fā)送無線信號。天線的性能可以對通信質(zhì)量和系統(tǒng)性能產(chǎn)生重要影響。在設(shè)計和評估天線時，需要考慮多個性能指標。下面將詳細分析
2023-11-27 15:40:051318 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05505 
從接觸單片機開始，我們就知道有一個叫KEIL的軟件。
2023-11-15 15:44:30377 L298驅(qū)動的步進電機本身沒有細分功能請問軟件上可以細分嗎？怎么實現(xiàn)?有例程分享嗎?
2023-11-10 06:04:18
點擊藍字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)
2023-11-09 10:10:02334 
光電耦合器是一種重要的電子元件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和多項優(yōu)勢。本文將詳細分析光電耦合器的工作原理以及其在現(xiàn)代科技中的應(yīng)用，并探索其潛力和未來發(fā)展方向。
2023-11-04 17:58:092034 高速光耦作為一種關(guān)鍵的電子元件，具有廣泛的應(yīng)用范圍和諸多優(yōu)勢。本文將探討高速光耦的應(yīng)用優(yōu)勢，并詳細分析其在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中的重要性和潛力。
2023-11-04 17:47:551381 文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細分析 （續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-11-03 17:55:26
這一篇，總結(jié)一下level shifter的晶體管級工作原理，就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起，詳細分析這個level shifter是怎么實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。
2023-11-03 16:36:12893 
運放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR，而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 10:35:19498 
華科版《電機學(xué)》第三版第四章中直接指出，繞組電動勢、磁動勢具有相似性，但并未進行詳細分析。本文對該點進行深入分析，闡明兩者的一致性。
2023-11-01 16:34:50510 
國產(chǎn)新風(fēng)尚！WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01232 
文章目錄FAT32文件系統(tǒng)詳細分析（續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）1.前言2.格式化SDnand/SD卡3.FAT32文件系統(tǒng)分析3.1保留區(qū)分析3.1.1BPB(BIOSParameterBlock
2023-10-18 17:12:34726 
文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細分析 （續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-10-18 16:58:34
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 本文將詳細分析降壓 DC/DC 電壓轉(zhuǎn)換器的工作原理。使用 SPICE 仿真，我們將研究輸出電壓穩(wěn)定、電壓紋波以及電感器和負載電流。
2023-10-18 09:07:08728 
內(nèi)含參考答案以及詳細分析
2023-10-07 07:15:56
電子工程師需要掌握的20個模擬電路的詳細分析
2023-09-28 06:22:26
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是硬件工程師必須掌握的20個重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細分析
2023-09-27 08:22:32
詳細介紹了硬件工程師必須掌握的20個重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細分析
2023-09-27 06:01:17
高速數(shù)字信號的反射是影響現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計的重要因素之一 嚴重的反射將破壞信號完整性，并引起過沖現(xiàn)象，從而出現(xiàn)錯誤的數(shù)字邏輯和毀壞器件。
2023-09-25 15:10:594002 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
能會對MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負面影響。在振蕩器中，閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶，其他形式的噪聲從載波延伸出來，頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加，閃爍噪聲會逐漸衰減，直到
2023-09-01 16:59:12
進行詳細分析，讓大家更加深入了解這款芯片。 一、CPU和GPU性能 麒麟9000采用了華為自主研發(fā)的CPU和GPU架構(gòu)，其中CPU使用的是Cortex-A77核心設(shè)計，GPU使用的是Mali-G78。這兩種核心都是具備高性能的最新一代芯片，它們在運行速度和CPU/GPU性能方面都有很高的表現(xiàn)。
2023-08-30 17:49:514293 麒麟820和麒麟970性能參數(shù)對比 麒麟820和麒麟970是華為推出的兩款手機芯片，同在麒麟系列，兩者在性能方面有何差別呢？下面詳細分析。 1.制程工藝 先從制程工藝角度分析，制程工藝是芯片性能
2023-08-29 17:27:255741 濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設(shè)計電路中是常見的身影，也是消滅電磁干擾的三大利器。
2023-08-24 17:26:22237 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2023-08-17 09:16:301297 
分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 07:48:31
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-11 06:58:37
分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:31:12
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-11 06:18:39
分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:17:39
分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:13:07
分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:11:43
開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:10:46
分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。
對應(yīng)用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析，然后審查應(yīng)用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南記錄了計數(shù)器的含義，并提供了與其關(guān)聯(lián)
2023-08-11 06:10:22
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:54:06
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:53:11
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:52:21
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:48:17
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:48:08
循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將
2023-08-09 07:44:01
遵循循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本
2023-08-09 07:33:34
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:23:42
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:11:46
的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器
2023-08-09 07:08:30
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 07:03:13
循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將
2023-08-09 07:01:50
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:00:25
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:51:53
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 06:40:20
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:31:22
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 06:30:22
中的計數(shù)器模板遵循循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中
2023-08-09 06:20:05
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:18:00
從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:17:49
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義，并提
2023-08-09 06:16:16
。分析從高級工作負載分類開始，測量CPU、GPU和內(nèi)存帶寬使用情況。然后，對應(yīng)用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應(yīng)用程序?qū)捎糜布Y源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器，本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 06:00:30
本篇來詳細分析下UVC的相機終端相關(guān)的內(nèi)容，同樣的我們理論結(jié)合實踐來進行。
2023-07-13 09:46:291057 
本篇來詳細分析下UVC的處理單元相關(guān)的內(nèi)容，同樣的我們理論結(jié)合實踐來進行。
2023-07-13 09:42:301023 
MOSFET是開關(guān)和汽車應(yīng)用中非常常見的元件，支持低壓或高壓擺幅，并具有寬范圍的電流驅(qū)動。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加，從而產(chǎn)生了對功率MOSFET的額外需求。為了生產(chǎn)數(shù)量不斷增加的功率MOSFET
2023-06-30 11:26:16886 
。因此，對DC電源模塊的低溫試驗檢測應(yīng)用較為廣泛。本文將從試驗環(huán)境、測試設(shè)備、試驗步驟、試驗評估等方面對DC電源模塊低溫試驗檢測進行詳細分析。
2023-06-29 10:56:49340 本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)，通過分析和實際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
2023-06-26 10:24:101042 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進的溝槽MOSFET，設(shè)計具有更好的特性，如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:45
0 的性能和多領(lǐng)域的應(yīng)用潛力引起了廣泛關(guān)注。本文將詳細介紹CMZ120R080APA1的特點、應(yīng)用以及關(guān)鍵性能參數(shù)，展示其在高壓功率電子領(lǐng)域的新一代技術(shù)。 特點: CMZ120R080APA1具備以下幾個創(chuàng)新特點： 高速開關(guān)和低電容: CMZ120R080APA1采用先進的硅碳化物材料，具有快速開關(guān)特性和低電容設(shè)
2023-06-12 17:42:13317 高壓探頭是指測量電氣設(shè)備中高電壓的電器設(shè)備，如變壓器、母線、發(fā)電機和高壓開關(guān)等。它主要用于測量電氣設(shè)備中的電場分布或電場梯度，以便分析電氣性能并識別故障。而在高壓探頭中，高壓隔離探頭和高壓差分探頭是兩種常見的類型。
2023-06-08 11:21:021106 針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串擾問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211841 
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
本章節(jié)首先介紹SVPWM控制技術(shù)的原理，然后詳細分析SVPWM控制算法的具體實現(xiàn)方式包括7段式SVPWM與5段式SVPWM算法，并通過Matlab/Simulink對SVPWM控制算法進行仿真分析，最后通過永磁同步電機矢量控制的實例進行算法應(yīng)用。
2023-05-24 11:10:303721 
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常，通過對PCBA基板和端子進行一系列分析，定位到問題發(fā)生的原因在于共面性不良，且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導(dǎo)致。詳細分析方案，請瀏覽文章獲知。
2023-05-17 13:58:46723 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
Cortex-M的內(nèi)核中包含Systick定時器了，只要是Cortex-M系列的MCU就會有Systick，因此這是通用的，下面詳細分析。
2023-05-15 15:01:381851 
大家好，今天通過幾個實際案例，給大家詳細分析一下音頻TDD Noise的產(chǎn)生原因、解決方案和思路。
2023-05-12 09:23:571590 
Cortex-M的內(nèi)核中包含Systick定時器了，只要是Cortex-M系列的MCU就會有Systick，因此這是通用的，下面詳細分析。
2023-05-10 09:00:534805 
結(jié)構(gòu)體(struct)是由一系列具有相同類型或不同類型的數(shù)據(jù)構(gòu)成的數(shù)據(jù)集合，也叫結(jié)構(gòu)。
2023-05-04 10:21:39767 
功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。
2023-05-04 10:09:47538 
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:181394 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102213 
上一節(jié)我們詳細分析了一個簡單的差分放大電路，并怎么去估算差分放大器的靜態(tài)工作點。
2023-04-25 15:42:511210 
電遷移和紅外壓降 （EM-IR） 分析不是工具。 實際上，這是一個復(fù)雜的流程，包括寄生提取、布局后仿真和結(jié)果的詳細分析。 這就是為什么必須在流程的所有階段做出謹慎的決定。 例如，在提取過程中，必須正確選擇工藝和溫度。 此外，在提取過程中，必須將其配置為生成包含所有必需物理信息的高質(zhì)量 DSPF。
2023-04-20 10:29:251005 
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021251 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31603 new操作符從自由存儲區(qū)（free store）上為對象動態(tài)分配內(nèi)存空間，而malloc函數(shù)從堆上動態(tài)分配內(nèi)存。自由存儲區(qū)是C++基于new操作符的一個抽象概念，凡是通過new操作符進行內(nèi)存申請，該內(nèi)存即為自由存儲區(qū)。而堆是操作系統(tǒng)中的術(shù)語，是操作系統(tǒng)所維護的一塊特殊內(nèi)存，用于程序的內(nèi)存動態(tài)分配，C語言使用malloc從堆上分配內(nèi)存，使用free釋放已分配的對應(yīng)內(nèi)存。
2023-04-03 09:29:01452 德索fakra線束，為了滿足電動高壓連接器的設(shè)計要求，高壓連接器的各個部件必須通過結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料選擇具有足夠的介電強度，以確保高壓阻力。高壓連接器的高壓性能設(shè)計主要包括爬電距離、界面氣隙和絕緣材料。
2023-03-28 11:26:53359 
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