云鼎科技近日宣布,基于盤古礦山大模型的研發(fā)取得顯著成果。據(jù)悉,公司已成功開發(fā)出涵蓋9大專業(yè)領(lǐng)域的63個應(yīng)用場景,這些場景不僅涉及煤礦的安全生產(chǎn),還拓展至流程制造的工藝優(yōu)化等多個方面。目前,這些應(yīng)用場景已在山能集團(tuán)得到廣泛推廣和應(yīng)用驗(yàn)證,實(shí)際效果顯著。
2024-03-21 13:38:43
82 實(shí)際操作的指導(dǎo)。為了填補(bǔ)這一空白,我們歷經(jīng)一年的實(shí)踐和探索,決定分享我們的經(jīng)驗(yàn)和成果,旨在為大語言模型的初學(xué)者和實(shí)踐者提供快速入門和應(yīng)用的途徑。為應(yīng)對技術(shù)的快速演進(jìn)和信息的日新月異,我們建立了一個
2024-03-18 15:49:46
后摩智能助力中國移動構(gòu)建算力網(wǎng)絡(luò),MWC展示邊端大模型運(yùn)行成果
2024-03-14 14:48:08
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為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
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在2024年的世界移動通信大會(MWC 2024)上,紫光展銳展示了其在AI領(lǐng)域的最新成果,為各種終端品類帶來了前所未有的創(chuàng)新應(yīng)用體驗(yàn)。該公司最新一代的AI計(jì)算平臺提供了一站式的軟件、硬件和算法
2024-02-29 14:09:33
185 產(chǎn)品,還攜手全球和中國合作伙伴共同展示了在連接、AI、汽車、XR、手機(jī)、5G Advanced、6G等領(lǐng)域的前沿技術(shù)和合作成果。
2024-02-29 09:49:06
154 在今年的世界移動通信大會(MWC)上,高通公司展示了其最新的技術(shù)成果——全新的高通AI Hub。這一創(chuàng)新平臺為開發(fā)者提供了全面優(yōu)化的AI模型庫,涵蓋傳統(tǒng)AI和生成式AI模型,并支持在驍龍和高通平臺上進(jìn)行部署。
2024-02-28 10:28:34
189 SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22
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HarmonyOS 3.1 版本(API 9)推出了全新應(yīng)用開發(fā)模型 - Stage 模型,該模型重新定義了應(yīng)用開發(fā)的能力邊界,從應(yīng)用開發(fā)模型的角度,支持多窗口形態(tài)下統(tǒng)一的應(yīng)用組件生命周期,并支持
2024-02-18 09:28:26
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落地應(yīng)用的權(quán)威研究成果,《案例集》全面展示了大模型前沿技術(shù)和發(fā)展成果,推動了大模型為代表的人工智能技術(shù)賦能社會經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。經(jīng)專家組的多輪評審,共52個各自領(lǐng)域的
2024-01-19 08:27:39
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BJT(雙極型晶體管)是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于放大電路、開關(guān)電路和數(shù)字邏輯電路等領(lǐng)域。BJT的工作原理主要包括以下幾個方面: 結(jié)構(gòu)與符號 BJT由兩種不同類型的半導(dǎo)體材料組成,分別為
2023-12-30 11:56:00
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瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn),經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評鑒,評委會授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評價(jià),同時(shí)認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán),展現(xiàn)了強(qiáng)勁的技術(shù)實(shí)力。
2023-12-25 10:56:54
456 技術(shù)革新日新月異,大模型的興起更是顛覆了千行百業(yè)。自ChatGPT問世以來,大模型的應(yīng)用前景充滿了無限的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。 12月16日,在2023開放原子開發(fā)者大會的“大模型應(yīng)用開發(fā)之道”分論壇
2023-12-21 19:35:01
412 SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先,讓我們來了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24
274 效果。
LabVIEW在此研究中的應(yīng)用展示了其在處理復(fù)雜醫(yī)學(xué)數(shù)據(jù)和開發(fā)高效預(yù)測模型方面的獨(dú)特優(yōu)勢,特別是在癌癥早期診斷和治療策略的研究中。通過使用LabVIEW,研究人員可以更快、更準(zhǔn)確地分析和解釋大量
2023-12-13 19:04:23
【科普小貼士】什么是雙極晶體管(BJT)?
2023-12-13 14:38:56
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【科普小貼士】BJT和MOSFET的差異
2023-12-13 14:21:46
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英特爾研究院將在NeurIPS 2023大會上展示一系列富有價(jià)值、業(yè)界領(lǐng)先的AI創(chuàng)新成果。面向廣大開發(fā)者、研究人員和學(xué)界人士,這一AI和計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域的全球頂會將于12月10日至16日在美國新奧爾良
2023-12-08 19:15:04
334 英特爾研究院將重點(diǎn)展示31項(xiàng)研究成果,它們將推進(jìn)面向未來的AI創(chuàng)新。 ? ? ? ?英特爾研究院將在NeurIPS 2023大會上展示一系列富有價(jià)值、業(yè)界領(lǐng)先的AI創(chuàng)新成果。面向廣大開發(fā)者、研究人員
2023-12-08 09:17:21
379 為什么BJT比CMOS速度要快? BJT(雙極性晶體管)和CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種常見的晶體管技術(shù),分別用于電子設(shè)備和集成電路中。在某些方面,BJT具有比CMOS更快的速度。下面
2023-12-07 11:37:37
461 SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21
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基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格
2023-11-27 16:15:55
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2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53
451 百度最新研究成果登上Nature子刊封面,文心生物計(jì)算大模型獲國際頂刊認(rèn)可!
2023-11-25 11:25:56
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BJT正反對稱嗎?BJT正反方向的電流放大倍數(shù)的差異與反向擊穿電壓的差異有關(guān)系嗎? BJT (雙極型晶體管) 是一種常用的電子器件,它有兩個 PN 結(jié)組成的結(jié)構(gòu),分別稱為基結(jié)和集電結(jié)。BJT 既可以
2023-11-23 09:39:53
657 HarmonyOS下地圖領(lǐng)域的最新技術(shù)探索與實(shí)踐成果。
得益于HarmonyOS一次開發(fā)多端部署、可分可合自由流轉(zhuǎn)、統(tǒng)一生態(tài)原生智能的特性,Petal Maps為開發(fā)者提供了系統(tǒng)級、深融合、低功耗、更安全的地圖
2023-11-22 10:37:59
第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(簡稱“進(jìn)博會”)已于11月10日正式閉幕。今年,英特爾在展臺展示了推進(jìn)摩爾定律的最新成果,以及與生態(tài)伙伴共同打造的在智能制造、智慧醫(yī)療、智能座艙、綠色數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的多項(xiàng)
2023-11-11 15:15:02
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近日,2023海思新技術(shù)成果展示交流會在深圳順利舉辦。本次交流會全面展示了海思在智慧視覺領(lǐng)域的最新研究成果和解決方案,英碼科技基于海思Hi3519AV200平臺開發(fā)的KVM產(chǎn)品和無人機(jī)云臺相機(jī)亮相
2023-11-10 08:36:41
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2023年11月6日,上海——第六屆中國國際進(jìn)口博覽會(簡稱“進(jìn)博會”)正在上海舉行。今年,英特爾在展臺展示了推進(jìn)摩爾定律的最新成果,以及與生態(tài)伙伴共同打造的在智能制造、智慧醫(yī)療、智能座艙、綠色
2023-11-07 09:18:10
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傳感器采集現(xiàn)場水,土壤,作物等數(shù)據(jù),結(jié)合國家氣象,衛(wèi)星遙感和作物需水模型,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn),自動化遠(yuǎn)程分區(qū)灌溉控制,幫助農(nóng)戶提升灌溉的效率和效果。 智慧棉田精準(zhǔn)灌溉
2023-11-03 10:56:48
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列,進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19
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我想用一個峰峰值為0-350mV的方波信號作為BJT開關(guān)電路的輸入,0V時(shí)斷開,350mV時(shí)導(dǎo)通,輸出同向位的放大方波信號(幅值為0-Vcc),BJT型號是PN2222A,Vcc為3.3V。
輸入
2023-10-30 17:56:45
+混合云一體機(jī)方案發(fā)布會”在貴安華為云數(shù)據(jù)中心舉行。本次發(fā)布會以 “智能悠然而昇,應(yīng)用皆可模型” 為主題,集中展示了中軟國際在促進(jìn)大模型場景應(yīng)用落地方面的創(chuàng)新成果,與華為產(chǎn)業(yè)生態(tài)融合創(chuàng)新的先進(jìn)示范案例。會上,中軟國際副總
2023-10-25 15:55:02
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BJT管構(gòu)成什么樣的電路可以帶重載?如何獲得更高倍數(shù)的BJT管? BJT管是一種常見的三端管,它由基極、發(fā)射極和集電極組成。BJT管的主要作用是放大電信號,從而將小信號放大成大信號,以便將信號傳輸
2023-10-22 15:18:09
473 解更多公司,建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過以下途徑實(shí)現(xiàn): 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作:尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè),與他們合作,共同研究開發(fā)新產(chǎn)品,將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30
586 提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此,羅姆已經(jīng)
2023-10-17 11:24:11
257 近日,第十三屆中國國際專利技術(shù)與產(chǎn)品交易會已于10月14日至16日在大連成功舉辦。本屆“專交會”主題為“知識產(chǎn)權(quán)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型”,目的是展示知識產(chǎn)權(quán)成果及重點(diǎn)領(lǐng)域高價(jià)值專利技術(shù)與產(chǎn)品,提供專業(yè)
2023-10-17 10:43:00
232 開發(fā)環(huán)境,借助Jupyter Lab,可以很輕松運(yùn)行Vitis AI各項(xiàng)指令,并在其中添加注釋信息。
Inspector可以以圖形化的方式展示PyTorch或TensorFlow模型的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),包括運(yùn)算
2023-10-14 15:34:26
傳感器采集現(xiàn)場水,土壤,作物等數(shù)據(jù),結(jié)合國家氣象,衛(wèi)星遙感和作物需水模型,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn),自動化遠(yuǎn)程分區(qū)灌溉控制,幫助農(nóng)戶提升灌溉的效率和效果。 智慧農(nóng)田高效
2023-10-10 11:23:03
遙感和作物需水模型,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn),自動化遠(yuǎn)程分區(qū)灌溉控制。可實(shí)現(xiàn)閥門狀態(tài)實(shí)時(shí)采集,移動端遠(yuǎn)程自動控制,精準(zhǔn)控制閥門開合角度,實(shí)時(shí)反饋設(shè)備情況,智能分析預(yù)警等功能。搭配模
2023-10-10 11:05:31
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在
2023-10-07 10:12:26
遙感和作物需水模型,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn),自動化遠(yuǎn)程分區(qū)灌溉控制??蓪?shí)現(xiàn)閥門狀態(tài)實(shí)時(shí)采集,移動端遠(yuǎn)程自動控制,精準(zhǔn)控制閥門開合角度,實(shí)時(shí)反饋設(shè)備情況,智能分析預(yù)警等功能。搭配模
2023-09-22 10:50:31
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中,例如放大器和開關(guān)。在實(shí)際
2023-09-21 16:09:37
1033 RKNN 是 Rockchip NPU 平臺(也就是開發(fā)板)使用的模型類型,是以.rknn 結(jié)尾的模型文件。
RKNN SDK 提 供 的 demo 程 序 中 默 認(rèn) 自 帶 了 RKNN 模 型
2023-09-21 11:39:02
MOS管中的橫向BJT的基極電壓是哪里來的?? MOS管中的橫向BJT是一種重要的結(jié)構(gòu),它能夠起到放大信號的作用,也被廣泛應(yīng)用于邏輯電路中。對于MOS管中的橫向BJT來說,其基極電壓對于整個結(jié)構(gòu)
2023-09-18 18:20:42
691 BJT穩(wěn)定工作點(diǎn)Q點(diǎn)的影響因素以及解決辦法是什么? BJT(雙極型晶體管)是一種非常常見的電子元件,常被用于模擬和放大電信號。在使用BJT時(shí),一個非常重要的參數(shù)是穩(wěn)定工作點(diǎn)(Q點(diǎn)),它指代了BJT
2023-09-18 18:20:39
1188 與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點(diǎn)?? BJT放大電路和MOSFET偏置電路都是常見的放大電路,它們在電子元器件中具有很重要的地位。兩者之間存在很多的共同點(diǎn)和差異點(diǎn),本文將重點(diǎn)比較
2023-09-13 14:45:12
867 為什么把BJT放大電路交流通路中的電流源或恒流源看作斷路 在BJT放大電路中,將交流通路中的電流源或恒流源看作斷路是為了簡化分析和計(jì)算過程。這種簡化方法被稱為小信號模型,可以讓工程師更快
2023-09-13 11:23:06
986 生成式AI正為醫(yī)療大模型迭代按下加速鍵。 近日,商湯科技聯(lián)合行業(yè)合作伙伴,結(jié)合生成式人工智能和醫(yī)療圖像數(shù)據(jù)的多中心聯(lián)邦學(xué)習(xí)發(fā)表的最新研究成果 《通過分布式合成學(xué)習(xí)挖掘多中心異構(gòu)醫(yī)療數(shù)據(jù)
2023-09-12 18:50:02
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為什么buck電路中開關(guān)器多用mosfet而不用bjt?? Buck電路是一種常見的DC-DC轉(zhuǎn)換電路,可實(shí)現(xiàn)輸入電壓向輸出電壓的降壓轉(zhuǎn)換。在Buck電路中,開關(guān)器是其中最重要的組件之一,它決定
2023-09-12 15:26:31
686 產(chǎn)品,還能為設(shè)計(jì)師提供一個全新的創(chuàng)作空間,探索設(shè)計(jì)的無限可能性。 家具三維模型Web3d展示系統(tǒng)將家具的設(shè)計(jì)圖紙或者實(shí)物模型轉(zhuǎn)化為三維數(shù)字模型,通過網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行展示的方式。通過3D技術(shù),可以完美還原家具的外形、材質(zhì)和顏色,
2023-09-07 17:46:12
227 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:12
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,與眾多人工智能專家學(xué)者和開發(fā)者深入交流,展示了英特爾AI的端到端能力。 同時(shí),英特爾正式宣布與百度聯(lián)合發(fā)起飛槳+文心大模型硬件生態(tài)共創(chuàng)計(jì)劃,雙方將共同推進(jìn)在英特爾硬件上與飛槳+文心大模型的適配。此項(xiàng)計(jì)劃將進(jìn)一步拓展雙方在大模型領(lǐng)域的合作,并構(gòu)建更加高效、完整的A
2023-08-19 11:15:07
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之前我們使用網(wǎng)頁文本輸入的方式體驗(yàn)了訊飛星火認(rèn)知大模型的功能(是什么讓科大訊飛1個月股價(jià)翻倍?),本篇博文將從開發(fā)者角度來看看如何使用訊飛星火認(rèn)知大模型API。
2023-08-15 12:22:26
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用于快速模型的模型調(diào)試器是用于可擴(kuò)展集群軟件開發(fā)的完全可重定目標(biāo)的調(diào)試器。它旨在滿足SoC軟件開發(fā)人員的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端,并支持:
?源代碼級調(diào)試
2023-08-10 06:33:37
用于快速模型的模型調(diào)試器是用于可擴(kuò)展集群軟件開發(fā)的完全可重定目標(biāo)的調(diào)試器。它旨在滿足SoC軟件開發(fā)人員的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端,并支持:
?源代碼級調(diào)試
2023-08-09 07:57:45
8月4日-6日, “ 華 為開發(fā)者大會2023 ” 在東莞松山湖隆重舉行。軟通動力子公司鴻湖萬聯(lián)作為華為“首批開源鴻蒙(OpenHarmony)生態(tài)使能合作伙伴”應(yīng)邀參加,并全面展示
2023-08-05 23:20:01
567 
2023年6月,中國創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽暨中關(guān)村新興領(lǐng)域?qū)n}賽組委會組織舉辦新興領(lǐng)域精品成果常態(tài)化展示活動。芯森電子送選項(xiàng)目為:AN1V758型微型霍爾電流傳感器,通過現(xiàn)場陳述,對
2023-08-04 08:37:30
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大模型技術(shù)和工業(yè)實(shí)踐。會議還匯聚了騰訊AI Lab、百度等科技企業(yè),學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的研究學(xué)者與從業(yè)人員,分享各自研究成果和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),推動了大模型和自然語言生成領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與研究成果轉(zhuǎn)化。 中譯語通作為NLGIW戰(zhàn)略合作伙伴參會展示 本屆會議組織單位為中國中文
2023-07-27 09:44:38
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引言:BJT從導(dǎo)通到關(guān)閉存在一定的延時(shí),在特定的場景中比如BJT電平轉(zhuǎn)換,高頻信號調(diào)理,這種延時(shí)存在很大的隱患,本節(jié)簡述如何消除BJT的關(guān)斷延時(shí)。
2023-07-23 10:42:59
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2023年6月,中國創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽暨中關(guān)村新興領(lǐng)域?qū)n}賽組委會組織舉辦新興領(lǐng)域精品成果常態(tài)化展示活動。 芯森電子送選項(xiàng)目為:AN1V758型微型霍爾電流傳感器,通過現(xiàn)場陳述,對成果特點(diǎn)、亮點(diǎn)進(jìn)行深度解讀
2023-07-19 10:10:14
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7月12日,【東風(fēng)生萬物】思必馳DFM-2大模型及創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用成果發(fā)布會在蘇州成功舉行。
2023-07-13 09:44:26
278 7月6日,在世界人工智能大會WAIC上,墨芯人工智能發(fā)布了大模型算力方案的最新成果,宣告進(jìn)入“千億”時(shí)代:墨芯AI計(jì)算平臺率先支持高達(dá)千億參數(shù)的大語言模型,并在吞吐、延時(shí)等多項(xiàng)指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異,創(chuàng)下
2023-07-07 14:41:17
531 ,展示全棧擁抱華為云的技術(shù)路線與創(chuàng)新實(shí)踐,攜手共贏行業(yè)數(shù)字未來! 為行業(yè)而生,釋放“模型”潛力 華為云于2021年正式發(fā)布盤古基礎(chǔ)大模型,包括CV(計(jì)算機(jī)視覺)大模型、NLP(自然語言處理)大模型和科學(xué)計(jì)算大模型。在基礎(chǔ)大模型之上,華為云踐行A
2023-07-06 15:22:50
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2023世亞數(shù)博會,世亞軟博會,全方位展示數(shù)字科技創(chuàng)新成果
2023-07-04 09:41:34
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基于BJT管的LNA仿真實(shí)驗(yàn)與總結(jié)
由于成本和靠操作性原因,故本次實(shí)驗(yàn)基于NXP公司的BFG425W模型進(jìn)行。
本次實(shí)驗(yàn)采用的軟件平臺為美國Agilent公司提供的射頻電路仿真軟件Advanced Design System 2008 Update 2。
2023-06-30 15:34:25
0 在BJT或雙極晶體管中,傳遞特性可以理解為輸出電流與輸入控制幅度的關(guān)系圖,因此在圖中表示的曲線中表現(xiàn)出變量從輸入到輸出的直接“轉(zhuǎn)移”。
2023-06-28 18:12:50
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GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月1日)宣布,其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu),并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW,適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09
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MOS類型高低邊開關(guān)固有其優(yōu)勢,比如壓降小,損耗低,控制簡易,使用場景也比BJT類型的高低邊開關(guān)廣泛
2023-06-07 17:15:38
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賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計(jì)平臺開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫,并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對GaN基垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03
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的開發(fā)方式。
UIAbility組件是一種包含UI界面的應(yīng)用組件,主要用于和用戶交互。例如,圖庫類應(yīng)用可以在UIAbility組件中展示圖片瀑布流,在用戶選擇某個圖片后,在新的頁面中展示圖片的詳細(xì)內(nèi)容。同時(shí)
2023-05-25 17:44:46
本系列文章將在 AI 愛克斯開發(fā)板上使用 OpenVINO 開發(fā)套件依次部署并測評 YOLOv8 的分類模型、目標(biāo)檢測模型、實(shí)例分割模型和人體姿態(tài)估計(jì)模型。
2023-05-05 11:47:53
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【開源硬件大賽】基于V853的多功能串口服務(wù)器——成品成果展示
2023-04-30 18:16:39
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應(yīng)用模型是OpenHarmony為開發(fā)者提供的應(yīng)用程序所需能力的抽象提煉,它提供了應(yīng)用程序必備的組件和運(yùn)行機(jī)制。有了應(yīng)用模型,開發(fā)者可以基于一套統(tǒng)一的模型進(jìn)行應(yīng)用開發(fā),使應(yīng)用開發(fā)更簡單、高效
2023-04-24 10:26:20
該團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設(shè)備,其生長過程是這樣的:首先,在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉;然后在對流作用下,將C粉從高溫區(qū)輸送到低溫區(qū);最后在低溫籽晶上進(jìn)行3C-SiC結(jié)晶。
2023-04-24 09:54:12
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在合作伙伴的大力支持和共同努力下,天數(shù)智芯自主算力集群方案不僅能夠有效支持OPT、LLaMa、GPT-2、CPM、GLM等主流AIGC大模型的Pretrain和Finetune,還適配支持了清華、智源、復(fù)旦等在內(nèi)的國內(nèi)多個研究機(jī)構(gòu)的開源大模型,取得了大模型適配支持階段性成果。
2023-04-23 14:19:39
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碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:16
1469 SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā),開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢?
2023-03-31 11:56:49
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
SIC431DED-T1-GE3
2023-03-28 14:50:25
SIC789CD-T1-GE3
2023-03-28 13:48:55
SIC639ACD-T1-GE3
2023-03-28 13:15:17
SIC438BED-T1-GE3
2023-03-28 13:10:35
ATK-Mini Linux開發(fā)板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux開發(fā)板-NAND
2023-03-28 13:05:54
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
TI CC2541開發(fā)套件
2023-03-25 01:27:25
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