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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 智能功率模塊(IPM)為工業(yè)設備提供卓越保護2023-10-12 11:59

    高集成度IPM是逆變器的好伙伴,IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開關元件,并集成電流傳感器、保護電路和柵極驅動電路。IPM以其高可靠性和易用性贏得了越來越大的市場,特別適用于驅動電機的變頻器和各種逆變器,是變頻調(diào)速、冶金機械、電力牽引的理想電力電子裝置。
    IGBT IPM 設備 1933瀏覽量
  • 智能功率模塊市場,2031年預測2023-10-11 13:50

    2021年全球智能功率模塊市場估值為16億美元,預計到2031年將達到37億美元,2022年至2031年復合年增長率為8.7%。
    IPM 功率模塊 晶體管 1290瀏覽量
  • GaN 技術能否縮小 5G 毫米波的性能差距?2023-10-10 16:02

    毫無疑問,5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而,較高頻段,特別是毫米波 (mmWave),也給實現(xiàn)這些改進帶來了挑戰(zhàn)。因此,功率 IC 制造商正在尋求更高效的技術,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體,以提高這些新網(wǎng)絡的性能并降低成本。
    5G GaN 射頻 毫米波 氮化鎵 1125瀏覽量
  • 如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅動器2023-10-09 14:21

    額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設計通常選擇專用的 SiC 核心驅動器,這會考慮到更快的開關、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說:“你總是可以使用標準柵極驅動器,但你必須用額外的電路來補充它,通常這就是權衡。”
    IGBT MOSFET SiC 半導體 1184瀏覽量
  • 如何使用萬用表測試 IGBT2023-10-09 14:20

    通過目視檢查、測量電氣參數(shù)、評估柵極驅動和開關特性以及在應力條件下進行測試,可以識別潛在故障。然而,這種萬用表測試只能提供有關 IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估,建議進行柵極驅動測試、開關性能分析等額外測試。
    IGBT 萬用表 測試 2753瀏覽量
  • SiC 和 GaN:兩種半導體的發(fā)展2023-10-08 15:24

    在元件層面,硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多,并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示,將高功率密度碳化硅應用到逆變器設計中,可以降低系統(tǒng)級成本,因為需要更少的組件,從而節(jié)省了空間和重量。
  • GaN技術:電子領域的下一波浪潮2023-10-07 11:34

    GaN技術正在電力電子領域嶄露頭角,受到了廣泛的關注和投資。這一前沿技術在汽車、消費電子和航空航天等領域,特別是在功率轉換應用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力,推動更高效的電力轉換和電氣化,為未來的電子器件設計師提供了全新的可能性。
    GaN 氮化鎵 電動汽車 851瀏覽量
  • 英飛凌、TI、NXP等芯片大廠最新市場行情2023-09-28 11:31

    芯片市場一直備受矚目,2023年馬上過去的9月的市場情況也吸引了廣泛的關注。9月芯片市場行情仍在緩慢復蘇,需求大多集中在汽車領域,消費類物料則因庫存充足需求疲軟,導致部分產(chǎn)品價格倒掛。
    NXP ti 芯片 英飛凌 2586瀏覽量
  • 碳化硅(SiC)需求迎來指數(shù)級增長2023-09-28 11:23

    由于政府對氣候變化的要求以及可能更重要的是消費者需求呈指數(shù)級增長,汽車原始設備制造商(OEMs)計劃將電池電動車型轉為未來10至15年主要銷售的汽車。這種電氣化轉型正日益定義了汽車動力半導體的整體市場需求。最初,汽車動力半導體市場主要由硅IGBT和MOSFET主導,而SiC和氮化鎵(GaN)等寬帶隙半導體的機會僅限于早期采用者,如特斯拉。
    MOSFET SiC 碳化硅 934瀏覽量
  • 新能源汽車充電市場的三大趨勢2023-09-27 10:26

    這三大趨勢將推動電動汽車充電市場的發(fā)展,為更快速、更高效的充電解決方案提供了新的可能性,有望在全球范圍內(nèi)促進電動汽車的普及。向更高電壓架構的過渡有望提高性能并縮短充電時間,同時監(jiān)管舉措將支持快速充電設施的部署。這些趨勢有望為電動汽車產(chǎn)業(yè)的未來帶來積極影響,推動電動汽車的發(fā)展。