深圳市致知行科技有限公司文章

• 9.5.3 勻膠鉻版光掩∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-09 01:08

  

  9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自

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• 7.2 肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-02-09 01:07

  

  7.2肖特基勢磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》第７章單

  二極管 1100瀏覽量

• 9.5.4 移相光掩模∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-02-09 01:05

  

  9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備

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• 7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-29 01:08

  

  7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》第７章單極型和雙極型功率二極管6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原

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• 9.5.2 光掩?；宀牧?isin;《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-29 01:07

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們PhotomaskSubstrateMaterial撰稿人：中芯國際集成電路制造有限公司郭貴琦https://www.smics.com/審稿人：中芯國際集成電路制造有限公司時(shí)雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301

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• 7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-28 01:08

  

  7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用

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• 9.5.1 集成電路對光掩模材料的要求及發(fā)展∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-28 01:07

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們RequirementsofICforPhotomaskMaterialsandtheDevelopmentofPhotomaskMaterials撰稿人：中芯國際集成電路制造有限公司郭貴琦https://www.smics.com/審稿人：中芯國際集成電路制造有限公司時(shí)雪龍9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書

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• 6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-27 01:08

  

  6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.2SiC上的肖特基接

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• 9.4.15 化合物量子點(diǎn)材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-27 01:07

  

  9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、G

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• 6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-26 01:42

  

  6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅

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