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• 陸芯：單管IGBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動汽車、電機驅(qū)動領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域2022-04-11 01:12

  

  上海陸芯電子科技有限公司成立于2017年5月，是專業(yè)從事最新一代功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司掌握核心技術(shù)、擁有國際一流的設(shè)計能力和工藝開發(fā)技術(shù)，匯集優(yōu)秀海歸人才和杰出本土團隊。上海陸芯聚焦于功率半導(dǎo)體的設(shè)計和應(yīng)用，掌握創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體核心技術(shù)，產(chǎn)品涵蓋了多個電壓段的功率器件，并提供整體的電源管理解決方案。目前累計擁有40多項自主創(chuàng)新專利。2

  IGBT SiC 5192瀏覽量

• 10.3.6 鍺錫 GeSn∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-11 01:07

  

  GeSn審稿人：南方科技大學(xué)王輝https://www.sustech.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、

  集成電路 614瀏覽量

• 10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-04-10 01:09

  

  10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK

  碳化硅 570瀏覽量

• 10.3.5 碳納米管（CNT）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-10 01:07

  

  CarbonNanotube（CNT）審稿人：北京大學(xué)傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MC

  集成電路 735瀏覽量

• 10.2.1 垂直漂移區(qū)（SM）JTE∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-04-09 04:17

  

  10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK

  碳化硅 541瀏覽量

• 10.3.4 納米線材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-09 01:31

  

  NanowireMaterials審稿人：北京大學(xué)傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUP

  集成電路 材料 634瀏覽量

• 10.1.7 多浮空區(qū)（MFZ）JTE和空間調(diào)制（SM）JTE∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-04-08 05:02

  

  10.1.7多浮空區(qū)（MFZ）JTE和空間調(diào)制（SM）JTE10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILIN

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• 10.3.3 類石墨烯材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-08 01:07

  

  Graphene-likeMaterials審稿人：北京大學(xué)傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國

  集成電路 材料 576瀏覽量

• 10.1.6 浮空場環(huán)（FFR）終端∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-04-07 03:02

  

  10.1.6浮空場環(huán)（FFR）終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN

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• 10.3.2 石墨烯(Graphene)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-04-07 01:07

  

  Graphene審稿人：北京大學(xué)傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊‍‍‍‍‍‍‍‍代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、G

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