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MDD辰達半導(dǎo)體

匠人作 用良芯 高品質(zhì) 選MDD

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-05-26 10:38

    MDD高壓二極管在X射線、高壓電源和激光驅(qū)動中的實際應(yīng)用案例

    在高壓電子設(shè)備領(lǐng)域,MDD辰達半導(dǎo)體高壓二極管(HighVoltageDiode)因其出色的耐壓能力、低反向漏電流及快速恢復(fù)特性,被廣泛應(yīng)用于X射線機、高壓電源、激光驅(qū)動器等場合。作為FAE,本文將結(jié)合實際案例,深入分析這些應(yīng)用場景中高壓二極管的作用、關(guān)鍵選型考慮及工程挑戰(zhàn)。一、X射線設(shè)備:高壓整流的核心器件X射線機內(nèi)部通常包含一個數(shù)十千伏至上百千伏的高壓電
  • 發(fā)布了文章 2025-05-23 10:27

    高頻應(yīng)用中的MDD開關(guān)二極管:哪些參數(shù)決定電路性能?

    在高頻電子設(shè)計中,MDD開關(guān)二極管廣泛應(yīng)用于脈沖整形、邏輯轉(zhuǎn)換、波形調(diào)制、混頻、隔離等場景中。其性能直接影響電路的響應(yīng)速度、信號完整性與功耗控制。在這類高頻應(yīng)用中,哪些參數(shù)才是真正影響電路性能的關(guān)鍵?一、反向恢復(fù)時間(trr):決定高速切換能力反向恢復(fù)時間(ReverseRecoveryTime,trr)是高頻應(yīng)用中最關(guān)鍵的參數(shù)之一,它表示當二極管從導(dǎo)通狀態(tài)
  • 發(fā)布了文章 2025-05-22 10:18

    ??如何選擇合適的MDD開關(guān)二極管?封裝、頻率與電流能力的權(quán)衡??

    在電子電路設(shè)計中,MDD開關(guān)二極管的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。作為現(xiàn)場應(yīng)用工程師(FAE),我們需要綜合考慮封裝、開關(guān)頻率和電流能力三個關(guān)鍵因素,以找到最優(yōu)的解決方案。??1.封裝選擇:散熱、尺寸與安裝方式的平衡??封裝不僅決定了二極管的物理尺寸,還直接影響其散熱能力和電流承載能力。常見的封裝類型包括:??TO-220/TO-247??(大功率)
  • 發(fā)布了文章 2025-05-21 09:53

    SMT封裝下的開關(guān)二極管選型指南:微型化設(shè)備中的可靠性挑戰(zhàn)

    隨著消費電子、穿戴式設(shè)備、IoT終端以及醫(yī)療微型儀器的發(fā)展,電子產(chǎn)品正朝著更輕薄、更緊湊、更集成的方向演進。在這種趨勢下,開關(guān)二極管作為信號控制、電平轉(zhuǎn)換、鉗位保護等基礎(chǔ)功能器件,正面臨新的選型挑戰(zhàn)。尤其是在SMT封裝下,工程師不但要考慮其電氣性能,更需關(guān)注封裝熱管理、焊接可靠性、寄生參數(shù)控制等因素。一、SMT封裝趨勢下的新挑戰(zhàn)傳統(tǒng)的DO-35、DO-41等
  • 發(fā)布了文章 2025-05-20 10:32

    如何利用MDD開關(guān)二極管構(gòu)建快速開關(guān)保護電路?實用設(shè)計技巧分享

    在高速開關(guān)控制電路或數(shù)字邏輯電路中,瞬態(tài)電壓、負載感應(yīng)反沖、反向電流等因素常常對核心元件造成威脅,特別是在繼電器、MOSFET、步進電機驅(qū)動、電感負載等場合,保護電路設(shè)計不當可能導(dǎo)致元器件損壞、系統(tǒng)失效甚至引發(fā)安全隱患。本文將從FAE的實用經(jīng)驗出發(fā),介紹如何巧妙利用MDD開關(guān)二極管(如1N4148、BAS16等)構(gòu)建快速開關(guān)保護電路,并給出幾個典型設(shè)計技巧,
  • 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:32

    從MDD1N4148談起:小信號開關(guān)二極管的經(jīng)典應(yīng)用場景

    在電子工程界,若說有哪一顆二極管堪稱“經(jīng)典之最”,MDD1N4148小信號開關(guān)二極管當之無愧。自20世紀六十年代問世以來,1N4148因其快速恢復(fù)時間、穩(wěn)定可靠、價格低廉等特性,在無數(shù)電路中扮演著不可替代的角色。一、1N4148的基本特性1N4148是一種通用型小信號硅二極管,具有如下關(guān)鍵參數(shù):反向耐壓(VR):100V正向電流(IF):300mA(連續(xù)),
  • 發(fā)布了文章 2025-05-16 09:56

    MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析:開路、熱擊穿與漏電問題排查

    在電子系統(tǒng)中,MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)憑借其在反向擊穿區(qū)域的穩(wěn)定電壓特性,被廣泛應(yīng)用于電壓參考、過壓保護和穩(wěn)壓電路中。然而在實際應(yīng)用中,穩(wěn)壓管并非“永不失手”。其失效往往會直接影響電路的供電穩(wěn)定性甚至導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。因此,深入了解其典型失效模式,如開路、熱擊穿和漏電流異常,是每位工程師必須掌握的故障排查技能。一、開路失效:電路中的“隱形人”開路
  • 發(fā)布了文章 2025-05-15 09:32

    瞬態(tài)響應(yīng)與動態(tài)阻抗:穩(wěn)壓二極管在干擾敏感電路中的表現(xiàn)

    在電源干擾、瞬態(tài)沖擊頻繁的電子系統(tǒng)中,穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)不僅承擔著穩(wěn)壓功能,更是關(guān)鍵的鉗位防護器件。尤其在模擬前端、電源參考、ADC/DAC供電、通信接口等對電壓擾動敏感的電路中,其瞬態(tài)響應(yīng)速度和動態(tài)阻抗特性將直接影響系統(tǒng)抗擾能力和精度表現(xiàn)。作為FAE,我們需要幫助客戶深入理解這兩個核心特性,以便在設(shè)計中正確選型與布局。一、瞬態(tài)響應(yīng)能力:關(guān)鍵
  • 發(fā)布了文章 2025-05-14 09:47

    MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解:功耗、電流與擊穿電壓如何權(quán)衡?

    在電子系統(tǒng)設(shè)計中,MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件,廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過壓保護等場景。為了確保其在電路中的穩(wěn)定運行與長壽命,深入理解其關(guān)鍵極限參數(shù)——擊穿電壓(Vz)、穩(wěn)壓電流(Iz)與功耗能力(Pz)——顯得尤為重要。本文將從這三個核心參數(shù)出發(fā),解析它們之間的相互關(guān)系及如何在實際設(shè)計中進行合理權(quán)衡與選型。一、
  • 發(fā)布了文章 2025-05-13 09:48

    并聯(lián)還是串聯(lián)?MDD穩(wěn)壓二極管多顆配置的使用技巧與注意事項

    在電子系統(tǒng)中,當單顆MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)無法滿足電壓、電流或功率要求時,多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)使用便成為一種常見解決方案。然而,多顆配置雖然看似簡單,實則隱藏著諸多設(shè)計陷阱。如果未加以合理匹配或保護,反而可能引起電壓不穩(wěn)、熱失控、器件損壞等問題。作為現(xiàn)場應(yīng)用工程師(FAE),我們必須深刻理解其工作機制,指導(dǎo)客戶合理使用多顆Zener配置,提

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認證信息: MDD辰達半導(dǎo)體

聯(lián)系人:陳小姐

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地址:龍華區(qū)民塘路328號鴻榮源北站中心B座13樓

公司介紹:      深圳辰達半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計、封裝測試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。      公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域16載,始終堅持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領(lǐng)域,服務(wù)于全球40多個國家與地區(qū)。      公司秉持與時俱進的發(fā)展理念,基于目前先進的功率器件設(shè)計及封裝測試能力,持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢,全面推動產(chǎn)品升級迭代,提高功率器件產(chǎn)業(yè)化及服務(wù)閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。      展望未來,公司將依托行業(yè)洞察的能力,通過品牌與技術(shù)雙輪驅(qū)動,快速實現(xiàn)“打造半導(dǎo)體分立器件國際創(chuàng)領(lǐng)品牌”的發(fā)展愿景,助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級。

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