動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-13 10:27

  腦電基礎(chǔ)系列之腦電電極的分類與技術(shù)對比

  

  腦電電極的概述腦電圖（Electroencephalogram,EEG）是通過記錄大腦皮層神經(jīng)元電活動(dòng)來反映腦功能狀態(tài)的重要技術(shù)手段，廣泛應(yīng)用于臨床診斷、神經(jīng)科學(xué)研究及腦機(jī)接口等領(lǐng)域。腦電電極作為信號采集的核心部件，其性能直接影響數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。電極的核心功能是將頭皮或腦組織中的微弱生物電信號（通常為微伏級）轉(zhuǎn)化為可記錄的電壓信號，因此電極的設(shè)計(jì)需兼顧

  導(dǎo)電 電極 腦電

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 21:31

  經(jīng)顱電刺激系列之迷走神經(jīng)刺激（VNS）

  

  VNS的起源可追溯到19世紀(jì)，詹姆斯·科寧受電療法啟發(fā)，首次提出通過電刺激迷走神經(jīng)治療癲癇的設(shè)想。雖當(dāng)時(shí)未成功，但為后續(xù)研究埋下種子。后續(xù)經(jīng)大量動(dòng)物實(shí)驗(yàn)和臨床探索，技術(shù)不斷成熟。1997年，美國FDA批準(zhǔn)首款植入式VNS設(shè)備用于治療癲癇，標(biāo)志著其正式進(jìn)入臨床應(yīng)用階段。迷走神經(jīng)是人體最長的腦神經(jīng)，從腦干延伸至腹部，廣泛支配心臟、肺、胃腸道等重要臟器，是中樞神經(jīng)

  醫(yī)療電子 電刺激裝置

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• 發(fā)布了文章 2025-03-04 20:24

  腦電偽跡系列之腦電偽跡處理與技術(shù)剖析

  

  在上一篇系列文章中了解到，腦電信號反映大腦神經(jīng)元活動(dòng)，在神經(jīng)科學(xué)研究、臨床診斷、腦機(jī)接口等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。但腦電信號幅值微弱極易受偽跡干擾。這些偽跡降低信號信噪比，增加數(shù)據(jù)變異性，導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)結(jié)果偏差。例如在癲癇診斷中，脈搏偽跡可能被誤判為癲癇樣活動(dòng)影響診斷準(zhǔn)確性。所以，有效處理腦電偽跡是獲取可靠腦電數(shù)據(jù)的關(guān)鍵。HUIYING不同類型腦電偽跡去除腦電偽跡的過程也稱

  濾波 腦電 腦電信號

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• 發(fā)布了文章 2025-02-25 22:26

  腦電偽跡全解析：類型、成因與影響

  

  在腦電信號研究領(lǐng)域，腦電偽跡是影響數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性的關(guān)鍵因素。深入了解腦電偽跡，對獲取可靠腦電數(shù)據(jù)、推動(dòng)腦科學(xué)研究意義重大。腦電偽跡的產(chǎn)生根源腦電信號由大腦神經(jīng)元電活動(dòng)產(chǎn)生，極其微弱，通常處于幾十微伏的低振幅范圍。在記錄過程中，各種干擾信號混入其中，形成腦電偽跡。其產(chǎn)生源于記錄環(huán)境的復(fù)雜性以及人體自身生理活動(dòng)的多樣性。腦電偽跡主要分為兩類，一是生理偽跡：人體的眼部

  腦電 腦電信號

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• 發(fā)布了文章 2025-02-15 20:05

  經(jīng)顱電刺激系列之高精度經(jīng)顱電刺激HD-TES

  

  傳統(tǒng)TES(經(jīng)顱電刺激)是一種通過頭皮電極向大腦施加微弱電流的非侵入神經(jīng)調(diào)控技術(shù),其原理是通過電流改變神經(jīng)元膜電位,增強(qiáng)或抑制特定腦區(qū)活動(dòng)。傳統(tǒng)經(jīng)顱電刺激示意圖如圖所示,TES主要有經(jīng)顱直流電刺激(tDCS)經(jīng)顱交流電刺激(tACS)和經(jīng)顱隨機(jī)噪聲刺激(tRNS)等方式。它通過在頭皮放置至少一個(gè)電極,利用不同類型電流發(fā)揮作用,電流強(qiáng)度通常為1-2mA,低于人

  電刺激裝置 高精度

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• 發(fā)布了文章 2025-02-10 14:29

  經(jīng)顱電刺激系列之高強(qiáng)度經(jīng)顱交流電刺激Hi-tACS

  

  隨著TES技術(shù)臨床應(yīng)用的不斷深入，研究人員不斷探索出新的刺激方法來提高刺激聚焦性、刺激強(qiáng)度和刺激深度，目前涌現(xiàn)出來更多優(yōu)化的經(jīng)顱電刺激方法諸如：高精度經(jīng)顱電刺激HD-tES、相移經(jīng)顱交流電刺激Phase-shiftedtACS、振幅調(diào)制經(jīng)顱交流電刺激AM-tACS、時(shí)間干擾電刺激tTIS、交叉脈沖電刺激ISP、高強(qiáng)度經(jīng)顱交流電刺激Hi-tACS等方法。下圖中

  交流電 電刺激感覺反饋

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 15:18

  回映短訊 | 回映電子受邀參加桂電&成電“自動(dòng)化與智能制造”專題研討會(huì)

  

  由桂林電子科技大學(xué)深圳自動(dòng)化行業(yè)分會(huì)、電子科技大學(xué)華南校友企業(yè)聯(lián)合會(huì)承辦的桂電&成電“自動(dòng)化與智能制造”專題研討會(huì)在威富集團(tuán)總部產(chǎn)業(yè)園召開，回映電子CTO白紀(jì)龍作為演講嘉賓出席本次研討會(huì)。此次研討會(huì)舉辦場地由威富集團(tuán)提供，深圳市威富集團(tuán)是國家級高新技術(shù)企業(yè)，創(chuàng)建于2001年。威富經(jīng)過十多年的銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新，已發(fā)展為以通信（移動(dòng)通信、應(yīng)急通信）、生物識(shí)

  智能制造 自動(dòng)化

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• 發(fā)布了文章 2022-04-30 00:21

  紀(jì)客老白丨如何成功設(shè)計(jì)電源模塊？

  

  "愿天下工程師不走彎路"─by白紀(jì)龍電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應(yīng)器(見圖1)，其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲(chǔ)器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。一般來說，這類模塊稱為負(fù)載點(diǎn)(POL)電源供應(yīng)系統(tǒng)或使用點(diǎn)電源供應(yīng)系統(tǒng)(PUP)。由于模塊式結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)甚多，因此高性能電信、

  電源

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• 發(fā)布了文章 2022-04-23 00:20

  一文看懂電池管理系統(tǒng)BMS

  

  "愿天下工程師不走彎路"─by白紀(jì)龍隨著新能源、可穿戴設(shè)備等的發(fā)展，BMS成為熱議的話題，經(jīng)久不衰，這篇文章我們就一起來學(xué)習(xí)一些關(guān)于BMS的知識(shí)。什么是BMS?BMS是對電池進(jìn)行監(jiān)控和管理的系統(tǒng)（BatteryManagementSystem），通過對電池的電壓、電流、溫度、剩余容量（SOC）、放電功率，報(bào)告電池劣化程度（SOH）、電池均衡管理、報(bào)警提醒等參

  管理系統(tǒng) 電池

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• 發(fā)布了文章 2022-04-03 00:29

  MOS管和IGBT有什么區(qū)別？別傻傻分不清了

  

  "愿天下工程師不走彎路"─by白紀(jì)龍?jiān)陔娮与娐分?，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管？場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（

  MOS管 IGBT

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