作為第三代半導體材料的代表，碳化硅(SiC)憑借其禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大等特性，成為高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新應用場景設備功率器件的新寵。在不久前的一場羅姆SiC產(chǎn)品分享會上，筆者詳細了解了SiC產(chǎn)品在功率器件中的比較優(yōu)勢，以及該公司在SiC產(chǎn)品線、車規(guī)產(chǎn)品以及生產(chǎn)制造方面的情況。

與Si功率器件相比，SiC產(chǎn)品的耐高壓特性使得器件可以使用更薄的半導體層（約1/10），并且由于其漂移區(qū)阻值只有Si器件的1/300，所以它的導通損耗非常低。

上圖顯示，以二極管（PN、SBD）和晶體管（IGBT、MOSFET）這兩種功率器件為例，目前在超過400V和600V電壓的少子和多子器件中，SiC在導通電阻和開關速度上都有絕對優(yōu)勢。由于SiC材料具有更低的阻抗，更高的運行頻率以及更耐高溫，所以在同等效果下，SiC器件只需要Si器件1/2的尺寸，1/10的被動元件以及1/5的冷卻系統(tǒng)。

以目前光伏和車載電源系統(tǒng)中常用的5kW LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器為例，SiC芯片面積只有Si-IGBT的1/4左右，重量也只有其1/8左右，而損耗能降低63%！總的來看，目前市場上高壓應用中，Si-IGBT還占據(jù)主導地位，SiC只占1/10左右，可以說市場前景廣闊。光伏、數(shù)據(jù)中心、智能電網(wǎng)充電站、工業(yè)自動化驅(qū)動電源、電動汽車、鐵路、風電和家電都是羅姆關注的SiC功率器件的目標市場。

基于這樣的市場潛力，羅姆正在積極擴張該公司產(chǎn)能。去年4月，羅姆在日本福岡縣啟動了12年來首座新廠——ROHM Apollo筑后工廠——的建設，原計劃總建筑面積為1.1萬平方米，后又決定加建到2萬平方米。該廠主要生產(chǎn)6英寸SiC功率器件的襯底、外延片和晶圓加工的預處理工藝。預計新廠房將于2020年12月竣工，2021年開始投入運營，2022年開始大批量生產(chǎn)。新廠投產(chǎn)后，預計到2024財年，羅姆SiC器件全球總產(chǎn)能較2016財年將增長16倍，柵極驅(qū)動則較2016財年增長15倍。

上面兩張圖分別是羅姆目前所有的SiC分立和功率模塊產(chǎn)品。羅姆是全球少數(shù)完全擁有SiC垂直整合制造工藝的公司，包括從晶棒生產(chǎn)到晶圓再到封裝。據(jù)悉，今年該公司將擴充6英寸第三代工藝600V SBD產(chǎn)品，預計年底將推出1200V樣片；在SiC-MOSFET上，今年會推出非車規(guī)第四代6英寸工藝產(chǎn)品，明年則將推出車規(guī)級產(chǎn)品。

電動汽車的主驅(qū)逆變器、車載充電器和降壓轉(zhuǎn)換器將是SiC功率器件的主要應用。由于SiC功率器件體積減少，省出的空間和重量可以增加到電池組，這增加了電池容量并因此延長了續(xù)航里程。此外，SiC功率器件高轉(zhuǎn)換效率大大縮短了充電時間，而其耐壓特性，也使得整車充電電纜重量降低——因為可以支持800V電池電壓。

上圖顯示在汽車應用中，SiC器件占比在今后幾年將越來越高?？紤]到成本，SiC MOS這類器件將首先被高檔車采用。目前羅姆已經(jīng)在車載SiC磁隔離柵極驅(qū)動器市場取得80%以上的份額，而由于光學隔離器件有衰減問題，加上EV車小型化趨勢，都將促使該公司在SiC磁隔離柵極驅(qū)動器市場取得更大的的份額。