近日，國星光電發(fā)布公告宣布其牽頭承擔(dān)的“硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報的“彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術(shù)研究”項目獲批立項，將分別獲批省財政專項經(jīng)費750萬元和225萬元。

公告顯示，硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用屬于第三代半導(dǎo)體材料與器件專項類別。國星光電表示，目前絕大多數(shù)近紫外LED都是藍(lán)寶石襯底，易產(chǎn)生張應(yīng)力甚至裂紋，而硅襯底具有尺寸大、成本低、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點，有利于LED器件小型化和高電流密度化。項目通過產(chǎn)學(xué)研結(jié)合發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈整合優(yōu)勢，從硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片、封裝及應(yīng)用四個層面切入，研制具有自主創(chuàng)新的紫外大功率LED器件并形成產(chǎn)業(yè)化示范，有助于提升國內(nèi)近紫外LED行業(yè)的國際競爭力，帶動廣東乃至全國的LED產(chǎn)業(yè)升級。

另外，彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術(shù)研究屬于新型顯示專項類別，牽頭單位是南方科技大學(xué)。國星光電表示，Micro-LED因其體積小、靈活性高、易于拆解合并等優(yōu)點，被認(rèn)為是最有前途的下一代新型顯示與發(fā)光器件，項目通過Micro-LED器件的開發(fā)、彩色化及轉(zhuǎn)移與封裝技術(shù)等研究，開發(fā)出超高亮度彩色微小尺寸Micro-LED器件和高質(zhì)量顯示屏。本項目把廣東先進(jìn)制造能力、市場優(yōu)勢和港澳國際化、科技創(chuàng)新優(yōu)勢相結(jié)合，打通粵港兩地微顯示器件產(chǎn)品科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化鏈條，助力粵港澳大灣區(qū)科技創(chuàng)新體系建設(shè)。

國星光電稱，目前公司尚未收到項目專項資金。上述項目立項不會對公司近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響，但有利于發(fā)揮公司知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢，形成持續(xù)創(chuàng)新機制，保持技術(shù)領(lǐng)先地位，提升公司的核心競爭力。

此外，國星光電還宣布取得由國家知識產(chǎn)權(quán)局及美國專利商標(biāo)局頒發(fā)的兩項專利證書，分別關(guān)于LED器件、LED燈及加工LED器件的導(dǎo)電線的方法和一種LED支架及其制成的LED器件與LED顯示模組，專利權(quán)期限皆為20年。

國星光電表示，發(fā)明專利的取得不會對公司近期生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生重大影響，但有利于保護和發(fā)揮公司自主知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢，形成持續(xù)創(chuàng)新機制，保持技術(shù)領(lǐng)先地位，進(jìn)一步提升公司核心競爭力。