日本管制關(guān)鍵原材料輸出韓國，引發(fā)韓系存儲器大廠產(chǎn)線供應(yīng)不足的疑慮，市場價格喊漲繪聲繪影。市場傳出，韓系存儲器大廠三星電子(Samsung隨著日本7月初對韓國發(fā)布關(guān)鍵面板及半導(dǎo)體材料限制出口禁令，關(guān)鍵材料供應(yīng)是否吃緊備受業(yè)界關(guān)注，據(jù)了解，韓國存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)擬將縮減DRAM投片量，進而影響市場價格大幅上漲。

不過根據(jù)模塊業(yè)者指出，投片量減少應(yīng)屬于市場謠言，但價格向上震蕩恐將需提前準(zhǔn)備，而后續(xù)市場價格走勢，還要觀察DRAM上游供應(yīng)商偏高水位的庫存能否順利去化。

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，日韓貿(mào)易爭執(zhí)可能是短期、也可能是長期，在未來周的協(xié)商狀況將是關(guān)鍵點，且在3大關(guān)鍵管制材料中，以光阻劑影響層面可能較大，由于光阻劑具有使用期限，依照不同產(chǎn)品及保存方式，僅能保存約6周~12周左右，況且變更光阻劑不僅是制造廠要重新驗證，連客戶也需要重新驗證，短期要取得替代品的困難性很高。

受到近來總體經(jīng)濟不確定性高、中美貿(mào)易戰(zhàn)、日韓交火及市場應(yīng)用需求回溫等諸多變量影響，李培瑛認(rèn)為，第3季DRAM現(xiàn)貨價已經(jīng)接近谷底，接下來將有機會反彈，但整體DRAM合約價價格仍將走跌，不過目前3大供應(yīng)商的庫存仍有偏高狀況，而大廠的庫存消耗將是決定市場走向的重點。

業(yè)界認(rèn)為，雖然光阻劑、氟化氫等關(guān)鍵材料主要由日商寡占，尤其是光阻劑的保存期限不長，但存貨供給是否如外界傳言吃緊仍有待觀察，畢竟DRAM顆粒及成品并沒有保存期限的問題，且大廠的庫存水位依然居高不下，由于先前曾傳出韓國大廠DRAM庫存高達5個月，近期的版本也并沒有明顯下降。

供應(yīng)鏈認(rèn)為，若以4~5個月的庫存估計，將足以支撐到向日方提出申請的90天審查期，換言之，只要日韓沖突未再擴大或演變?yōu)殚L期抗?fàn)?，預(yù)料短期內(nèi)應(yīng)沒有立即缺貨的疑慮。

近日市場傳出三星與SK海力士預(yù)告客戶，7月下旬起DRAM投片將大幅減少，不過下游模塊廠表示，并未收到相關(guān)訊息，對于漲價傳言也半信半疑，但由于各家終端通路的庫存已偏低，在價格相對低檔之際，業(yè)界仍將適量回補備貨，此外，受到2019年下半整體市況及買氣相對低迷，雖然PC產(chǎn)品有機會在第3季恢復(fù)CPU正常供貨，但DRAM搭載量及實際需求的支撐力道仍相對薄弱。

據(jù)華強旗艦獲悉：反倒是NAND Flash產(chǎn)品價格醞釀上漲態(tài)勢相對明確，供應(yīng)鏈指出，從東芝存儲器(TMC)工廠停電后，上游NAND供應(yīng)商已醞釀?wù){(diào)漲價格，但下游業(yè)者并未感受到供應(yīng)端吃緊，隨著日韓沖突造成不確定性增加，近日各家原廠價格齊聲喊漲，NAND Flash價格拉鋸陷入買賣雙方的心理戰(zhàn)，儼然迫使下游終端業(yè)者不得不跟進。

模塊業(yè)者分析，東芝存儲器及威騰(WD)工廠停電造成的缺貨影響目前尚未實際反應(yīng)出來，由于原有成品仍有存貨，預(yù)計將從7月底才會逐漸顯現(xiàn)缺貨效應(yīng)，而各家NAND供應(yīng)商分別從10~15%開始喊價，向客戶預(yù)告接下來的現(xiàn)貨將越來越少、未來價格也將持續(xù)走揚，原本備貨較少的模塊廠只能買單跟進漲價。

DRAM、NAND Flash價格持續(xù)走跌，隨著整體國際情勢動蕩出現(xiàn)價格向上反彈的動能，相關(guān)供應(yīng)鏈認(rèn)為，市場價格喊漲風(fēng)雨欲來，或許將可能順勢帶動消費市場的買氣提前回溫。

但值得注意的是，在終端買氣實質(zhì)回籠下，原有市場價格才有順利拉升或持續(xù)止穩(wěn)的氣勢，否則上游庫存水位難以去化，第3季價格仍將缺乏支撐力道。