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三星5nm取得重要進展 可以帶來25%的邏輯電路能效提升

半導體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-07-10 16:32 ? 次閱讀
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眼下,臺積電和三星都在全力沖刺5nm工藝,這將是7nm之后的又一個重要節(jié)點,全面應用EUV極紫外光刻技術,提升效果會非常明顯,所以都受到了高度重視。

現(xiàn)在,三星的5nm取得了重要進展,來自EDA(電子自動化設計)巨頭Cadence、Synopsys的全流程設計工具已經(jīng)通過了三星5LPE(Low Power Early)工藝的認證,可以幫助芯片廠更快速地開發(fā)高效的、可預測的芯片。

本次驗證使用的是ARM Cortex-A57、Cortex-A53芯片,結果完全符合三星新工藝的需求,但是三星未透露更具體的指標,如核心數(shù)、頻率、功耗等。

三星5LPE工藝仍然使用傳統(tǒng)FinFET立體晶體管,但加入了新的標準單元架構,并同時使用DUV、EUV光刻技步進掃描系統(tǒng)。

由于繼承了舊工藝的部分指標,使用三星5LPE工藝設計芯片的時候,可以重復使用7LPP IP,同時享受新工藝的提升。

三星7LPP工藝將是其第一次導入EUV,但只有少數(shù)光刻層使用,5LPE會擴大使用范圍,效果更加明顯。

按照三星的說法,5LPE工藝相比于7LPP工藝可以帶來25%的邏輯電路能效提升,同時可將功耗降低20%,或者將性能提升10%。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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