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MOS管做功放的優(yōu)缺點

工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:h1654155205.5246 ? 2019-06-28 16:09 ? 次閱讀
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MOS管做功放的優(yōu)點

1、MOS管功放具有鼓勵功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù),平安牢靠,且有工作頻率高,偏置簡單等優(yōu)點。以運(yùn)放的輸出作為OCL的輸入,到達(dá)抑止零點漂移的效果。

2、中音厚,沒有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級通常由一至二級組成,為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù),常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開關(guān)失真,較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流,這樣本級不會產(chǎn)生開關(guān)失真,由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區(qū),所以電流輸出級也一直處于放大區(qū),因而輸出級同樣不會產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。

3、MOS管的線性比晶體管好。

MOS管做功放的缺點

1、低頻的溫和度比晶體管功放差,MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高(無法外電路維護(hù)),開關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初,MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破,呈現(xiàn)了一種高速M(fèi)OSFET大功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管。

2、開啟電壓太高。

3、偏流開很大,還是有一定的交越失真,沒交越失真,差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。

4、MOS管不好配對在同一批次管,相對來說要好配對一點。

5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法,把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET,JFET才真正具有電子管音色。

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