繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開(kāi)始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM，SK海力士及美光預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。

由于先進(jìn)制程采用EUV微影技術(shù)已是趨勢(shì)，在臺(tái)積電第二季EUV技術(shù)7+納米進(jìn)入量產(chǎn)階段并獲***量產(chǎn)7納米制程，英特爾預(yù)期2021年7納米會(huì)首度導(dǎo)入EUV技術(shù)。而隨著制程持續(xù)推進(jìn)至5納米或3納米后，EUV光罩層會(huì)明顯增加2～3倍以上，對(duì)EUV光罩盒需求亦會(huì)出現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)。

另外，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)能逾3成的DRAM，也開(kāi)始逐步導(dǎo)入EUV技術(shù)。業(yè)者指出，DRAM市場(chǎng)供給過(guò)剩且價(jià)格跌至變動(dòng)成本，DRAM廠雖然放緩產(chǎn)能擴(kuò)充但無(wú)法讓價(jià)格明顯止跌，維持獲利的唯一方法就是微縮制程來(lái)降低單位生產(chǎn)成本。不過(guò)，DRAM制程向1z納米或1α納米制程推進(jìn)的難度愈來(lái)愈高，隨著EUV量產(chǎn)技術(shù)獲得突破，或可有效降低DRAM成本。

三星預(yù)期在今年11月開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1z納米DRAM，量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共享EUV設(shè)備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM光罩微影技術(shù)會(huì)朝EUV方向發(fā)展。至于SK海力士及美光也已表明開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)，業(yè)界預(yù)期將可能在1α納米或1β納米世代開(kāi)始導(dǎo)入。

總體來(lái)看，在邏輯IC及DRAM的先進(jìn)制程開(kāi)始采用EUV技術(shù)后，對(duì)EUV光罩盒需求在明、后兩年都會(huì)呈現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)。