IRFP4227PBF功率晶體管的特性及應(yīng)用
此HEXFET功率MOSFET專門設(shè)計用于維持能量恢復(fù)和通過開關(guān)應(yīng)用在等離子顯示面板中。此MOSFET利用最新處理技術(shù)實現(xiàn)對每個硅區(qū)域和低脈沖的電阻。此MOSFET的其他特性是175°共操作結(jié)溫度和高重復(fù)峰值電流能力。這些功能結(jié)合使此MOSFET A高效堅固可靠設(shè)備用于PDP駕駛應(yīng)用。
特征
1、先進工藝技術(shù)
2、為PDP維持、能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)
3、在PDP維持、能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用中降低功耗的低脈沖額定值
4、QG低，反應(yīng)快
5、高重復(fù)峰值電流能力，運行可靠
6、快速切換的短時下降和上升時間
7、175°C操作接頭溫度，提高耐用性
8、具有重復(fù)雪崩能力，堅固可靠。
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