99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

殷華湘團(tuán)隊(duì)研發(fā)出3納米晶體管 相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度

xPRC_icunion ? 來(lái)源:yxw ? 2019-05-31 11:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

港媒稱,內(nèi)地的科學(xué)家說(shuō),他們已經(jīng)研發(fā)出一種晶體管,這種晶體管將大大增強(qiáng)芯片的性能,并大幅降低它們的能耗。

據(jù)報(bào)道,現(xiàn)如今,市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說(shuō),他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類DNA鏈的寬度,在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。

殷華湘說(shuō),晶體管變得越小,芯片上就能安裝越多的晶體管,這會(huì)讓處理器的性能顯著提升。晶體管是處理器的基本部件。殷華湘說(shuō),用3納米晶體管制造的處理器將會(huì)增加計(jì)算速度,并降低能耗。比如一位智能手機(jī)用戶可以整天玩需要大量計(jì)算能力的游戲,卻不需要為電池重新充電。

殷華湘說(shuō),他的團(tuán)隊(duì)還必須克服一些重大障礙。他們的研究成果本月部分發(fā)表在同行評(píng)議雜志《電氣電子工程師協(xié)會(huì)電子器件通訊》上。其中一個(gè)障礙是“波爾茲曼暴政”。路德維?!げ柶澛?9世紀(jì)的奧地利物理學(xué)家?!安柶澛┱泵枋龅氖怯嘘P(guān)電子在一個(gè)空間中的分布問(wèn)題。對(duì)芯片研發(fā)者來(lái)說(shuō),這意味著隨著更多較小的晶體管安裝到芯片上,晶體管所需電流產(chǎn)生的熱量將燒毀芯片。

報(bào)道稱,物理學(xué)家已經(jīng)為這個(gè)問(wèn)題提供了解決辦法。殷華湘說(shuō),他的團(tuán)隊(duì)使用一種稱為“負(fù)電容”的方法,這樣他們能用理論上所需最小電量的一半電量來(lái)為晶體管提供電力。這種晶體管實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用可能要花幾年時(shí)間。該團(tuán)隊(duì)正在進(jìn)行材料和質(zhì)量控制方面的工作。

殷華湘說(shuō):“這是我們工作中最激動(dòng)人心的部分。這不僅是實(shí)驗(yàn)室中的又一項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)。它有著實(shí)際應(yīng)用的巨大潛力。而我們擁有專利?!?/p>

報(bào)道稱,殷華湘說(shuō),這項(xiàng)突破將讓中國(guó)“在芯片研發(fā)的前沿同世界頭號(hào)角色進(jìn)行正面競(jìng)爭(zhēng)”。他說(shuō):“在過(guò)去,我們看著其他人競(jìng)爭(zhēng)。現(xiàn)在,我們?cè)谕渌烁?jìng)爭(zhēng)?!?/p>

據(jù)報(bào)道,中國(guó)還在研發(fā)一種原子大小(0.5納米)的晶體管,而其他國(guó)家已經(jīng)加入將3納米晶體管投入市場(chǎng)的競(jìng)賽。

韓國(guó)三星公司說(shuō),它計(jì)劃到明年上半年完成3納米晶體管的研發(fā)。三星說(shuō),同7納米技術(shù)相比,用它的3納米晶體管制造的處理器只需用一半的電力,性能卻會(huì)提高35%。三星沒(méi)有說(shuō)它預(yù)計(jì)這些芯片將于何時(shí)投產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    19896

    瀏覽量

    235256
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    440977
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10020

    瀏覽量

    141689
  • 微電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    18

    文章

    401

    瀏覽量

    41897

原文標(biāo)題:好消息!中國(guó)芯片領(lǐng)域研究又有新突破!

文章出處:【微信號(hào):icunion,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?820次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過(guò)程

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含個(gè)發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí),它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件:光耦的另
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?219次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    晶體管通?;?b class='flag-5'>納米片堆疊技術(shù),納米片作為晶體管的溝道部分,其厚度和寬度可以精確控制,以實(shí)現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動(dòng)電流。叉片
    發(fā)表于 06-20 10:40

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    電容充電時(shí)相當(dāng)于短路嗎_電容充電原理

    電容在充電時(shí)并不相當(dāng)于短路,而是個(gè)逐漸積累電荷的過(guò)程。當(dāng)電容器連接到電源兩端時(shí),電源開(kāi)始對(duì)電容器進(jìn)行充電。在這個(gè)過(guò)程中,電容器兩極板之間的電壓逐漸上升,直到達(dá)到電源的電動(dòng)勢(shì)為止。同時(shí),流過(guò)電容器的電流會(huì)逐漸減小,直至趨于零。
    的頭像 發(fā)表于 01-27 11:34 ?1837次閱讀

    如何測(cè)試晶體管的性能 常見(jiàn)晶體管品牌及其優(yōu)勢(shì)比較

    如何測(cè)試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測(cè)試對(duì)于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測(cè)試晶體管性能的些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?1179次閱讀

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過(guò)控制基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1030次閱讀

    最新研發(fā)電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最新研發(fā)電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-21 16:27 ?1次下載

    最新研發(fā)高速電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu)

    高速電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 11-21 12:23 ?510次閱讀
    最新<b class='flag-5'>研發(fā)</b>高速電壓型多值<b class='flag-5'>晶體管</b>的結(jié)構(gòu)

    麻省理工學(xué)院研發(fā)全新納米級(jí)3D晶體管,突破性能極限

    11月7日,有報(bào)道稱,美國(guó)麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)利用超薄半導(dǎo)體材料,成功開(kāi)發(fā)出種前所未有的納米級(jí)3D
    的頭像 發(fā)表于 11-07 13:43 ?886次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?7801次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?4015次閱讀

    自感線圈在通電穩(wěn)定后相當(dāng)于什么

    的電流。自感線圈在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用,如濾波、調(diào)諧、儲(chǔ)能等。 在通電穩(wěn)定后,自感線圈相當(dāng)于個(gè)電阻。這是因?yàn)樵谥绷麟娐分?,自感線圈的自感作用幾乎可以忽略不計(jì),其對(duì)電流的阻礙作用主要表現(xiàn)為電阻。但是,自
    的頭像 發(fā)表于 08-29 15:15 ?3277次閱讀

    BFR840L3RHESD晶體管是否可以用來(lái)放大nA級(jí)電流?

    我想知道BFR840L3RHESD晶體管是否可以用來(lái)放大nA級(jí)電流。如果該晶體管不合適,是否有其他晶體管可以實(shí)現(xiàn)這目標(biāo),或者是否無(wú)法使用
    發(fā)表于 07-23 07:40