美國高務(wù)部正式將華為列入“實(shí)體清單”，禁止美企向華為出售相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品，美國政府不惜動用國家力量打壓華為，已到令人發(fā)指的地步。

高通、谷歌、ARM、微軟、SD聯(lián)盟、wifi聯(lián)盟等單位先后響應(yīng)美國商務(wù)部號召，紛紛宣布對華為公司斷供。近日，化工巨頭美資企業(yè)陶氏也公開發(fā)函宣布對華為斷供，也加入到圍剿華為的行列之中。

陶氏是世界上最大的綜合性化工企業(yè)和有機(jī)硅巨頭企業(yè)，陶氏產(chǎn)品種類極多，涵蓋粘接、封裝、隔熱、絕緣等多類電子化學(xué)品。陶氏旗下新生品牌-陶熙，更是有機(jī)硅產(chǎn)品和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。而眾所周知，有機(jī)硅材料在電子產(chǎn)品中有著極為廣泛的應(yīng)用。

比如當(dāng)下我國正在大量投產(chǎn)OLED顯示面板產(chǎn)線，但是OLED顯示面板中的核心發(fā)光材料，其專利及市場目前基本被美、日、德幾家主要廠商所壟斷。其中陶氏化學(xué)在紅色主體材料上擁有核心專利，市場占有率也處于領(lǐng)先。

又如硅晶圓CMP拋光墊材料。CMP技術(shù)是晶圓制造的核心工藝。CMP技術(shù)即化學(xué)機(jī)械拋光，是指在晶圓制造過程中，使用化學(xué)及機(jī)械力對晶圓進(jìn)行平坦化處理的過程。國際上普遍認(rèn)為，器件特征尺寸在0.35μm 以下時，必須進(jìn)行全局平面化以保證光刻影像傳遞的精確度 和分辨率，而CMP 是目前幾乎唯一的可以提供全局平面化的技術(shù)。而陶氏的CMP拋光墊占了全球90%以上的市場份額。

早在2013年，陶氏就與華為確定了全球技術(shù)合作關(guān)系。如今受美國“實(shí)體清單”事件的影響，陶氏與華為終止這一合作關(guān)系，必將給雙方帶來一定損失。

其中陶氏化學(xué)所供應(yīng)的顯示材料主要業(yè)務(wù)歸于電子材料中，OLED中的細(xì)分業(yè)務(wù)發(fā)光材料的銷售額處于全球領(lǐng)先地位。

陶氏的顯示材料業(yè)務(wù)集中于規(guī)模較大且正在不斷發(fā)展的FPD（平板顯示）市場，包括新興的OLED（有機(jī)發(fā)光二極管）領(lǐng)域。

顯示用化學(xué)品：有機(jī)硅樹脂 有機(jī)鈍化for OLED、低溫固化型絕緣膜、黑色柱狀間隔物、具備BOA低誘電率的黑色材料、應(yīng)用于噴印、銅工藝、高溫等領(lǐng)域的定制化材料、MVA 條、G,I-line 光阻、下一代Cu, APC去除劑

除了OLED材料外，半導(dǎo)體行業(yè)也會受到波及陶氏的半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)部主要服務(wù)于半導(dǎo)體市場的兩個核心領(lǐng)域：化學(xué)機(jī)械研磨和光刻技術(shù)。

化學(xué)機(jī)械研磨產(chǎn)品： 半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)部為半導(dǎo)體、硅片和存儲介質(zhì)的研磨和平面化提供材料，包括：軟研磨墊和硬研磨墊、獨(dú)特的研磨漿料

光刻產(chǎn)品和材料： 半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)部提供先進(jìn)的光刻膠用在半導(dǎo)體晶圓上制作出電路圖形、抗反射涂層以改善成像、 和電鍍化學(xué)品，包括：193納米浸入式光刻材料、193納米光刻膠、抗反射涂層(BARCs) 、墊層材料(Underlayers) 、表面涂層材料(Topcoats) 、各種不同曝光光源用光刻膠，EUV、KrF（248nm）、ArF（193nm）、i-線、g-線光刻膠、193納米（ArF）和248納米（DUV）光源用抗反射涂層、顯影液和輔助化學(xué)品

顯示用薄膜：用于控制LCD背光系統(tǒng)亮度的涂覆和擠出薄膜、用于觸摸屏和LCD偏振片制造的功能薄膜、亮度薄膜、擴(kuò)散片、反射片、微透鏡薄膜、多功能薄膜、集成性的光學(xué)濾光片解決方案、子部件： NIR濾光片，調(diào)色、涂覆ITO 的PET、光學(xué)保護(hù)薄膜、緩釋層、功能性硬質(zhì)涂層和抗反射薄膜

此次斷供對于國內(nèi)采用陶氏材料的廠商可能會有不小范圍的影響，不過此次禁售不會受影響的是未曾與華為公司產(chǎn)生間接的供應(yīng)鏈關(guān)系。