隨著全球5G網(wǎng)絡(luò)規(guī)模化部署和商業(yè)化進(jìn)程加速，電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)小型輕量化需求的提升，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長，吸引了諸多國際廠商紛紛布局。憑借超高熱導(dǎo)率、高電子遷移率等材料特性，GaN與SiC在應(yīng)用上形成了優(yōu)勢互補(bǔ)，劍指高低壓、高頻及高功率領(lǐng)域，兩者的應(yīng)用場景幾乎覆蓋了新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)、5G基站、無線充電等大多數(shù)未來前景可期的新興應(yīng)用市場。

再加上國家和各地方政策持續(xù)利好，有望推動(dòng)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車。有數(shù)據(jù)顯示，2017年全球SiC功率半導(dǎo)體市場總額達(dá)3.99億美元，預(yù)計(jì)到2023年市場總額將達(dá)16.44億美元，年復(fù)合增長率為26.6%。與此同時(shí)，預(yù)計(jì)到2026年，全球GaN功率器件市場規(guī)模將達(dá)到4.4億美元，復(fù)合年增長率為29.4%。

5月29日下午，博聞創(chuàng)意在深圳南山科技園與您相約“第三代半導(dǎo)體GaN與SiC技術(shù)應(yīng)用沙龍”，與國內(nèi)外寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)專家學(xué)者面對面交流經(jīng)驗(yàn)，共同探討第三代半導(dǎo)體GaN與SiC的最新技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)及應(yīng)用設(shè)計(jì)技巧，讓您和更多的同行一起切磋論道！

會議時(shí)間：2019年5月29日13:00至17:30
會議地點(diǎn)：深圳市南山區(qū)科技園康佳研發(fā)大廈B區(qū)7樓
【名額有限！火速報(bào)名】

特邀主講嘉賓


【嘉賓簡介】
頭銜：加拿大皇后大學(xué)正教授，IEEE電力電子學(xué)會副會長，加拿大工程院院士，電力電子技術(shù)領(lǐng)域全球權(quán)威專家，美國電氣與電子工程師學(xué)會會士(IEEE Fellow)
成就：美國專利40項(xiàng)，其中一些專利技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)銷售額超過3億元，在國際重要期刊和國際會議上發(fā)表論文180余篇

會議議程

13:00-13:30 簽到
13:30-14:10 SiC功率器件驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)
Anup Bhalla,CTO,United SiC
14:10-15:40 技術(shù)突破：如何讓氮化鎵器件發(fā)揮出最大優(yōu)勢？
IEEE電力電子學(xué)會副會長、加拿大工程院院士 劉雁飛
15:40-16:10 茶歇
16:10-16:50 采用SiC器件的高功率密度航空電源技術(shù)
清華大學(xué)博士、副教授 許烈
16:50-17:30 寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及其應(yīng)用
西安電子科技大學(xué) 祝杰杰博士